K104K10X7RF5UH5 产品概述

一、产品简介

K104K10X7RF5UH5 为 VISHAY（威世）品牌的直插型单片陶瓷电容，容量 100 nF，额定电压 50 V，标称精度 ±10%（代号 K），介电材料为 X7R。该系列属于二类陶瓷（Class II）电容，兼顾体积与电容量，适用于对体积和稳定性有中等要求的去耦、旁路与滤波场合。封装为插件式，引脚间距 P = 5 mm，便于穿孔安装和手工/机械插装。

二、主要电气与温度特性

• 容量：100 nF（0.1 μF），公差 ±10%。
• 额定电压：50 V DC。
• 温度特性：X7R，工作温度范围一般为 −55 °C 至 +125 °C；在该温度范围内介质允许的容值变化约在 ±15% 内（需区分“出厂标称公差”与“温漂效应”）。
• 直流偏置效应：X7R 类陶瓷在加 DC 偏压时会出现容量下降，幅度随电容尺寸、介质厚度和电场强度不同，设计时应考虑实际工作电压下的有效容量。
• 绝缘电阻和损耗：相比电解电容漏电小、损耗低；但与 C0G/NPO 相比温漂和线性较差。

三、结构与封装特点

• 插件式（径向引线）封装，引脚间距 5 mm，适配传统穿孔电路板和插装工艺。
• 无极性设计，适用于交流耦合或任意方向安装。
• 体积小、耐振动性能好，但陶瓷材料对机械冲击和弯折较敏感，焊接与装配时须避免应力集中导致陶瓷芯片裂纹。

四、典型应用场景与选型建议

• 常见用途：电源去耦、局部旁路、滤波、反射抑制、旁通等；在中低频旁路和大多数模拟/数字电路中为常用选择。
• 选型提示：若电路对温度稳定性和频率线性要求高（如高精度滤波、计时），优先考虑 C0G/NPO；如需要较大电容量且接受温漂，X7R 为性价比之选。针对高工作电压或对偏置敏感的场合，建议试验测量实际偏置下的容值并适当留裕。

五、装配、焊接与可靠性注意

• 焊接：插件件可采用手工焊接或波峰焊工艺，遵循常规焊接温度与时间控制，避免长时间高温。
• 机械应力：弯引脚或强力固定可能引起陶瓷体裂纹，装配时应避免将应力传递到陶瓷本体；必要时在夹持处使用适当垫片或支撑。
• 环境与存储：符合一般电子元件存储要求，避免潮湿、剧烈温度循环与腐蚀性气体。VISHAY 产品通常满足 RoHS 要求，具体证书与可靠性测试请参照厂商数据表。

六、测试与实用建议

• 在最终应用中，建议对样品进行温度循环、直流偏压下的容量测量和实装后的性能验证，以确认满足系统需求。
• 设计去耦网络时可并联不同尺寸或不同介质电容（如与 C0G 小容量并联）以覆盖从高频到低频的抑制效果。

总结：K104K10X7RF5UH5 提供了 100 nF/50 V 的稳健容量与插件安装便利，X7R 介质在体积与电容量上的折衷使其成为电源去耦和一般滤波应用的常用选择。在设计时应关注温漂和直流偏置影响，并严格控制装配机械应力以保证长期可靠性。若需精确尺寸、等效串联电阻（ESR）、等效串联电感（ESL）或详细可靠性数据，请查阅 VISHAY 官方数据表。