KSA992FATA 产品概述

一、器件概述

KSA992FATA 是安森美（ON Semiconductor）出品的一款 PNP 小信号双极型晶体管，采用 TO‑92‑3L 封装，适用于中高压、小电流场合的放大与开关应用。该器件侧重低泄漏、较高频率响应与较高电压耐受能力，适合在宽温度范围内长期稳定工作（-55℃ 至 +150℃）。

二、主要电气参数

• 晶体管类型：PNP
• 直流电流增益 hFE：150（在 Ic≈0.1 mA、Vce≈6 V 条件下测得）
• 集电极电流 Ic（最大）：50 mA
• 耗散功率 Pd：500 mW
• 集电极-发射极击穿电压 VCEO：120 V
• 集电极截止电流 Icbo：50 nA（典型/最大值）
• 特征频率 fT：100 MHz（表示在高频下仍有一定放大能力）
• 发射极-基极击穿电压 VEBO：5 V
• 饱和电压 VCE(sat)：90 mV（典型值，具体测试条件见数据表）

三、性能特点

• 高耐压：VCEO=120 V，使其在需要高压余量的信号级或开关场合更可靠。
• 低泄漏：Icbo≈50 nA，适合对静态漏电敏感的电路（如高阻输入放大器）。
• 频率响应良好：fT≈100 MHz，适用于宽带或较高频率的小信号放大。
• 低饱和压：VCE(sat) 典型约 90 mV，有利于降低开关损耗与电压降。
• 宽温度范围：-55℃～+150℃，适合工业与车规级温度要求的应用场景。

四、典型应用场景

• 小信号放大器（低噪声前置、音频/射频放大）
• 中高压侧的低功率开关或电平移位电路
• 精密模拟电路中的偏置与参考电路
• 通用替换用于需要 PNP 器件且关注高 Vceo 与低泄漏的场合

五、使用与设计注意事项

• 饱和与击穿：VEBO=5 V，基极-发射极反向电压不要超过此值以免损坏。VCEO=120 V 为最大耐压，设计时保留裕量并避免大瞬态冲击。
• 功率与散热：Pd=500 mW，TO‑92 封装散热受限，高环境温度或长时间高电流时需注意降额使用。
• 测试条件：hFE、VCE(sat) 等参数与测量条件有关（电流、温度、Vce/ Vbe），在关键设计中请参照器件完整数据手册并按目标工作点验证。
• 引脚与封装：TO‑92 封装的引脚排列可能因厂商批次而异，实际电路设计前请确认厂家的引脚图与封装方向。

六、选型建议

如需在高电压且要求低泄漏与中等增益的场合实现稳定小信号放大或开关，KSA992FATA 是一个合适选择。对于更高电流或更高功耗需求，应选择功率更大的封装或并联/替代器件。最终选型应基于完整数据表、目标工作点与热管理方案验证。

（更多详细电气特性、典型曲线与引脚排列，请参考安森美官方数据手册。）