KDZVTFTR33B 产品概述

一、产品简介

KDZVTFTR33B 是 ROHM（罗姆）推出的一款高功率 SOD‑123F 封装稳压二极管（Zener diode）。该器件设计用于在小体积表贴平台上提供稳定的稳压或过压保护功能，标称稳压值为 35V，耗散功率为 1W，反向漏电流 Ir 为 10μA（在 25V 条件下）。SOD‑123F 封装兼顾了体积与散热，是消费电子、通信设备与工控产品常用的选择。

二、电气性能要点

• 标称稳压（Vz）：35V（请以供应商数据表为准，实际型号命名中含 33 可能表示系列或公差）
• 反向漏电流（Ir）：10μA @ 25V（低漏电有利于减少静态功耗）
• 最大耗散功率（Pd）：1W（在规定环境温度和散热条件下）
• 特性说明：作为大功率肖特基替代的稳压二极管，KDZVTFTR33B 适用于稳压基准、过压钳位与瞬态能量吸收等场合。动态电阻、测试电流 Iz 与温度系数等详细参数需参考完整数据手册。

三、封装与热管理

SOD‑123F 小型贴片封装便于自动贴装，但由于 1W 功耗较高，热管理是关键。建议在 PCB 设计中：

• 增大器件两侧焊盘面积极大化散热面积；
• 在焊盘下或附近布置铜箔、过孔并与内层或底层铜箔相连以引导热量到更大面积的散热平面；
• 根据工作环境对功率进行降额（随环境温度上升需按厂方功率-温度曲线降低允许耗散功率）。若长期高功耗工作，考虑外部散热或选择更高功率封装。

四、典型应用场景

• 过压保护与电压钳位：防止电路被尖峰或浪涌电压损坏；
• 简单稳压电源：与串联限流电阻配合为小电流负载提供参考电压或保护电源线；
• 浪涌吸收与瞬态抑制：在输入端吸收短时能量峰值；
• 工业/通信设备的保护与抑制电路。

五、选型与使用建议

• 确认稳压值与目标电路需求匹配，考虑实际工作电压与允许误差；
• 设计限流电阻时确保在最坏条件下二极管耗散功率不超过 1W；
• 考虑温度系数与环境温度对稳压值的影响，必要时增加温度补偿或选用更精准的基准源；
• 焊接时遵循 ROHM 的回流焊工艺规范，避免超温或过长回流时间影响器件可靠性。

六、替代与比较建议

在无货或需不同电压规格时，可考虑同类封装（SOD‑123F 或 SOD‑123FL）下的 1W 级别 Zener 型号，选型时重点比较稳压精度、动态电阻、漏电流和热特性，以保证在目标应用中能提供相近的保护与稳压性能。

七、采购与合规性

购买时确认供应商资质与元件真伪，注意包装形式（卷带包装适合贴片生产线）、RoHS 符合性与储存条件。对于量产项目，建议索取完整数据手册并与 ROHM 或授权代理确认关键电气与热参数。

如需更详细的电气特性曲线、引脚/封装尺寸和推荐 PCB 焊盘图，请提供是否需要我帮您检索并整理 ROHM 官方数据表要点。