
IHW20N120R5 是英飞凌(Infineon)推出的高压快切 IGBT,封装为 TO-247-3,额定集电极电流 Ic=20A,集射极击穿电压 VCES=1.2kV。该器件兼顾高电压耐受与较快开关特性,适用于中高压功率转换场合。
Qg=170nC 属于中高电荷量,驱动器需提供短时大电流以实现快速切换。计算示例:若希望在200ns内完成栅极充放电,平均驱动电流≈170nC/200ns≈0.85A。实际设计应考虑峰值电流、栅阻和阻尼以控制 dv/dt 与振铃,避免误触发与过冲。
Eoff=750µJ 表明关断时能量较大,开关频率增加会显著提高开关损耗(Psw ≈ Eoff × f)。VCE(sat)=1.75V 在20A时对应导通损耗约 35W(20A×1.75V),需在系统预算中计入导通与开关两部分损耗并做好散热设计。
TO-247-3 封装便于安装在散热片上,推荐按实际工作点计算结-壳-散热片的热阻并选配足够的冷却系统。器件最高结温175℃,高温下需降额使用并遵循厂方可靠性曲线(SOA/derating)。
适用于中高压逆变器、开关电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)、UPS、电机驱动及感应加热等需要1.2kV耐压和较大电流的场合。
总结:IHW20N120R5 在1.2kV/20A 级别提供了平衡的导通性能与开关特性,适合多种中高压功率电子系统。合理的栅极驱动策略与热管理是发挥其性能并保证可靠性的关键。