型号:

IHW20N120R5

品牌:Infineon(英飞凌)
封装:TO-247-3
批次:23+
包装:-
重量:1g
其他:
-
IHW20N120R5 产品实物图片
IHW20N120R5 一小时发货
描述:IGBT管/模块 IHW20N120R5
库存数量
库存:
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(起订量: 1, 增量: 1
最小包:240
商品单价
梯度内地(含税)
1+
11.55
240+
11.21
产品参数
属性参数值
集射极击穿电压(Vces)1.2kV
集电极电流(Ic)20A
耗散功率(Pd)288W
输出电容(Coes)43pF
正向脉冲电流(Ifm)60A
集射极饱和电压(VCE(sat))1.75V@20A,15V
栅极阈值电压(Vge(th))5.1V@0.5mA
栅极电荷量(Qg)170nC@15V
输入电容(Cies)1.34nF
关断延迟时间(Td(off))260ns
关断损耗(Eoff)750uJ
工作温度-40℃~+175℃
反向传输电容(Cres)34pF

IHW20N120R5 产品概述

一、产品简介

IHW20N120R5 是英飞凌(Infineon)推出的高压快切 IGBT,封装为 TO-247-3,额定集电极电流 Ic=20A,集射极击穿电压 VCES=1.2kV。该器件兼顾高电压耐受与较快开关特性,适用于中高压功率转换场合。

二、主要电气参数

  • 集电极电流 Ic:20A(连续)
  • 正向脉冲电流 Ifm:60A(脉冲)
  • VCE(sat):1.75V @ Ic=20A, VGE=15V
  • VGE(th):5.1V @ IG=0.5mA
  • 栅极电荷 Qg:170nC @ VGE=15V
  • 输入电容 Cies:1.34nF;输出 Coes:43pF;反向传输 Cres:34pF
  • 关断延迟 Td(off):260ns;关断能量 Eoff:750µJ
  • 工作结温:-40℃ ~ +175℃;耗散功率 Pd:288W

三、开关与栅极驱动要点

Qg=170nC 属于中高电荷量,驱动器需提供短时大电流以实现快速切换。计算示例:若希望在200ns内完成栅极充放电,平均驱动电流≈170nC/200ns≈0.85A。实际设计应考虑峰值电流、栅阻和阻尼以控制 dv/dt 与振铃,避免误触发与过冲。

四、开关损耗与影响

Eoff=750µJ 表明关断时能量较大,开关频率增加会显著提高开关损耗(Psw ≈ Eoff × f)。VCE(sat)=1.75V 在20A时对应导通损耗约 35W(20A×1.75V),需在系统预算中计入导通与开关两部分损耗并做好散热设计。

五、热管理与封装

TO-247-3 封装便于安装在散热片上,推荐按实际工作点计算结-壳-散热片的热阻并选配足够的冷却系统。器件最高结温175℃,高温下需降额使用并遵循厂方可靠性曲线(SOA/derating)。

六、典型应用

适用于中高压逆变器、开关电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)、UPS、电机驱动及感应加热等需要1.2kV耐压和较大电流的场合。

七、选型与使用注意

  • 驱动电压以15V为参考,确保在 VGE(th) 之上有足够栅压余量;避免超过器件最大栅压。
  • 开关频率和器件散热能力需匹配,必要时采用软关断、RC耗散或能量回收措施降低开关损耗。
  • 注意器件的脉冲与连续电流界限,布局时优化寄生电感以减少过压与振荡。
  • 安装时遵守扭矩与焊接规范,保证良好热接触与电气可靠性。

总结:IHW20N120R5 在1.2kV/20A 级别提供了平衡的导通性能与开关特性,适合多种中高压功率电子系统。合理的栅极驱动策略与热管理是发挥其性能并保证可靠性的关键。