J113-D74Z 产品概述

一、产品简介

J113-D74Z 是安森美（ON）品牌的一款 N 沟结型场效应管（JFET），封装为常见的 TO-92-3。器件以其高输入阻抗、低噪声特性以及简单易用的偏置特性，适用于小信号放大、源跟随缓冲、恒流源和模拟开关等应用场景。器件的主要电气和热性能参数如下：栅源击穿电压 Vgss = 35 V，工作结温范围 Tj = -55 ℃ ~ +150 ℃，漏源电流 Idss = 2 mA @ VDS = 15 V，导通电阻 RDS(on) ≈ 100 Ω，栅源截止电压 VGS(off) = 500 mV @ IG = 1 µA，耗散功率 Pd = 625 mW。

二、关键电气特性与含义

• 栅源击穿电压 35 V：栅对源之间可承受的反向电压上限，设计时应避免在器件引脚间施加超过该值的电压。
• 漏源电流 Idss 2 mA（@15 V）：在 VGS = 0 时器件可提供的最大漏电流，用于估算无偏置下的工作电流及作为恒流源设计的起点。
• 栅源截止电压 VGS(off) 500 mV（@1 µA）：表示当栅极相对于源极施加该负偏压时，漏极电流降至微安级，便于精确设置截止/线性区边界。
• 导通电阻 RDS(on) 100 Ω：反映器件在导通状态下的通道阻抗，适合低电流、小信号路径，非用于高功率开关。
• 耗散功率 Pd 625 mW：TO-92 封装下的最大允许功耗，设计时需考虑结到环境的热阻和良好的散热或限流措施，避免结温超限。

三、典型应用场景

• 小信号放大器输入级：高输入阻抗有利于弱信号拾取，降低源负载。
• 恒流源/限流器：利用 Idss 与 VGS(off) 的特性，可构成简单的恒流单元，适合偏置电路或 LED 限流（低功率应用）。
• 缓冲与源跟随：作为电压缓冲以隔离前级与后级，减少信号失真。
• 模拟开关与衰减：在音频、仪表等低频模拟电路中可作为可控衰减或开关元件。

四、设计与使用建议

• 电源与偏置：避免在器件管脚之间施加超过 35 V 的差分电压；在高结温下适当降额使用 Pd。
• 散热与环境：在高温工作点应降低通过器件的功耗或改用更大功率封装，以确保结温不超过 150 ℃。
• 噪声与频带：JFET 本身噪声低，适合前置放大器，但在高频应用中需关注寄生电容对带宽的影响。
• ESD 防护：JFET 对静电敏感，生产与装配过程中需采取常规静电防护（接地、腕带、防静电工作台等）。

五、封装与采购信息

• 封装：TO-92-3，便于手板测试与通用插装电路应用。
• 品牌：ON（安森美），适用于需要稳定批次与可靠性支持的设计。购买时请注意批次与物料表（BOM）一致性，必要时索取详细的原厂数据手册以获取典型特性曲线与测试条件。

总结：J113-D74Z 是一款适合低功率、小信号处理与偏置电路的 N 沟结型场效应管。凭借 35 V 的栅源耐压、2 mA 的 Idss 与 500 mV 的 VGS(off) 特性，在仪表、音频前端、模拟缓冲与简单恒流源中具有良好适用性；设计时应留意其功耗与热管理限制。