型号:

IRFS4115TRLPBF

品牌:Infineon(英飞凌)
封装:D2PAK
批次:-
包装:编带
重量:2.343g
其他:
IRFS4115TRLPBF 产品实物图片
IRFS4115TRLPBF 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 375W 150V 195A 1个N沟道 TO-263-2
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18.59
800+
18.08
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)150V
连续漏极电流(Id)99A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)10.3mΩ@10V,62A
功率(Pd)375W
阈值电压(Vgs(th)@Id)3V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)77nC
输入电容(Ciss@Vds)5.27nF
反向传输电容(Crss@Vds)105pF
工作温度-55℃~+175℃

产品概述:IRFS4115TRLPBF

一、产品基本信息

IRFS4115TRLPBF是一款高性能的N通道MOSFET,属于Infineon(英飞凌)公司制造。该器件的设计专门针对高电压和高电流应用,具有显著的散热能力和优异的开关特性。它的主要技术参数包括漏源电压(Vdss)150V、最大连续漏极电流(Id)195A(在适当温度条件下),以及最大功率耗散375W。这些特性使得IRFS4115TRLPBF在众多领域中得到了广泛应用,如电源管理、工业驱动和电动车辆等。

二、主要电气参数

  1. 漏源电压(Vdss):150V。它表明该器件可以承受的最大漏源电压,适用于高压电路设计。

  2. 连续漏极电流(Id):在25°C时为195A(在晶体管接头温度Tc的条件下)。高电流承载能力使其适用于需要大电流的应用场景。

  3. 导通电阻(Rds On):在Vgs为10V时,Id为62A时向下最大值为12.1毫欧。这一低导通电阻特性能够有效减少直流损耗,提升电力转换效率。

  4. 栅源阈值电压(Vgs(th)):最大值为5V @ 250µA。它有助于确保MOSFET在适当的栅源电压下能够迅速导通。

  5. 栅极电荷(Qg):在Vgs为10V时,最大值为120nC。这一特性指示了器件在开关操作中所需的能量,低栅极电荷意味着更快的开关速度。

  6. 输入电容(Ciss):在不同的Vds条件下,最大值为5270pF @ 50V。这保证了在高频操作中更好的稳定性。

  7. 工作温度范围:-55°C至175°C(TJ)。广泛的工作温度范围使得IRFS4115TRLPBF在极端环境下依然可靠运行。

三、封装和安装

IRFS4115TRLPBF采用表面贴装型封装,具体为TO-263-3(D²Pak)。这种封装方式不仅有助于其在紧凑的电路中进行安装,还能有效管理发热,提高散热效率,保证器件性能。

四、应用场景

由于其出色的电气性能,IRFS4115TRLPBF适合在多种领域内使用:

  1. 电源管理:在高效开关电源(SMPS)设计中,用于降压转换器、升压转换器等。

  2. 工业驱动:可用于电机驱动和传动系统中,保障提供稳定和高效的电力。

  3. 电动汽车:适合用于驱动电动机和电池管理系统,保障电动车辆的高效运行。

  4. 风能和太阳能系统:在可再生能源系统中进行电力转换和控制。

五、市场优势和总结

IRFS4115TRLPBF凭借其高效的功率转换能力和优越的工作表现,成为当今市场中一款理想的MOSFET选择。它不仅支持高电流、高电压应用,还具备良好的热管理性能,适用于多种工业及消费领域。无论是在电源设计、驱动控制还是可再生能源利用中,IRFS4115TRLPBF都提供了一种高效且可靠的解决方案。 通过合理的应用和设计,使用该器件能够显著提高系统的整体性能与可靠性。