型号:

IRFP7530PBF

品牌:Infineon(英飞凌)
封装:TO-247
批次:-
包装:管装
重量:7.035g
其他:
IRFP7530PBF 产品实物图片
IRFP7530PBF 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 341W 60V 195A 1个N沟道 TO-247-3
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商品单价
梯度内地(含税)
1+
9.73
10+
8.11
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)281A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)1.65mΩ@10V,100A
功率(Pd)341W
阈值电压(Vgs(th)@Id)2.1V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)274nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)13.703nF
反向传输电容(Crss@Vds)806pF
工作温度-55℃~+175℃

IRFP7530PBF 产品概述

产品简介

IRFP7530PBF 是一款高性能 N 通道金属氧化物场效应管(MOSFET),由知名半导体制造商 Infineon(英飞凌)生产。该器件集成了先进的 MOSFET 技术,具有卓越的导电性能、高功率密度和广泛的应用范围,非常适合高效能开关电源、逆变器、电动机驱动及其他高电流场合。

主要参数

  • FET 类型: N 通道
  • 漏源电压(Vdss): 60V,能够满足大多数中低压应用的需求。
  • 连续漏极电流(Id): 195A(在 Tc = 25°C 时),该值说明了在工作环境下可处理的最大电流能力。
  • 导通电阻(Rds(on)): 在 Vgs 为 10V 时,最大导通电阻为仅 2 毫欧 @ 100A,这保证了在大电流操作中低能量损耗和高效率。
  • 栅极阈值电压(Vgs(th)): 最大值为 3.7V @ 250µA,确保控制电路能够以较低电压可靠驱动该 MOSFET。
  • 栅极电荷(Qg): 最大值为 411nC @ 10V,提供快速开关能力,适合频繁的开关应用。
  • 输入电容(Ciss): 最大值为 13703pF @ 25V,较高的输入电容值适用于高频信号,确保信号稳定性。

热性能与功率承载能力

  • 功率耗散(Pd): 最大值为 341W(在 Tc 时),在高温情况下,IRFP7530PBF 仍能保持其稳定的电气特性,适合需要大功率承载的应用。
  • 工作温度范围: -55°C 至 175°C,广泛的工作温度范围使其适用于极端环境和苛刻条件下的应用。

封装与安装

  • 封装类型: TO-247,该封装提供良好的热散能力,便于在高功率应用中使用。
  • 安装方式: 通孔安装,简单易行,适合大多数标准 PCB 设计。

应用领域

IRFP7530PBF 较高的电流和功率处理能力,使其在多种应用中非常受欢迎,包括但不限于:

  • 开关电源: 转换电源转化效率的关键组件。
  • DC-DC 变换器: 在电源管理和电动汽车充电装置中需要使用。
  • 电动机控制: 在工业和家电中的电机驱动应用。
  • 逆变器: 用于太阳能系统和其他可再生能源应用的电源转换。

总结

IRFP7530PBF 是一款兼具高效能、稳定性和耐用性的 MOSFET,适合在多个高电流和高功率的应用场景中使用。它的设计考虑了广泛的工作条件和多样的应用需求,从而为工程师和技术人员提供了优良的解决方案。此外,英飞凌作为知名品牌,其产品质量可靠,备受市场认可,为用户提供了一个值得信赖的选项。