型号:

IRFP4868PBF

品牌:Infineon(英飞凌)
封装:TO-247AC
批次:24+
包装:管装
重量:7.355g
其他:
IRFP4868PBF 产品实物图片
IRFP4868PBF 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 517W 300V 70A 1个N沟道 TO-247AC-3
库存数量
库存:
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(起订量: 1, 增量: 1
最小包:400
商品单价
梯度内地(含税)
1+
11.94
10+
10.31
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)300V
连续漏极电流(Id)70A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)25.5mΩ@10V,42A
功率(Pd)517W
阈值电压(Vgs(th)@Id)3V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)270nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)10.774nF
反向传输电容(Crss@Vds)193pF
工作温度-55℃~+175℃

IRFP4868PBF 产品概述

产品基本信息

IRFP4868PBF是一款高性能N通道MOSFET,采用TO-247AC封装,专为高功率应用设计。该器件的最大漏源电压(Vdss)为300V,能够支持高电压操作,因而适用范围广泛,涵盖了工业电源、电机驱动、逆变器和其他高功率开关设备。其设计涵盖了出色的导通性能和热管理能力,使其在苛刻环境中同样表现优异。

电气特性

IRFP4868PBF的漏电流持续额定值达到70A(在适当的散热条件下),而电阻(Rds On)在10V栅极驱动下的最大值可低至32毫欧(@42A),这表明其在导通状态下损耗极小,有助于提升系统的效率。该器件的工作栅极电压(Vgs)可以在±20V的范围内操作,确保了其与大多数逻辑电平兼容,从而简化了驱动设计。

在性能方面,IRFP4868PBF的门极阈值电压(Vgs(th))最大值为5V,这使得它在低电压驱动条件下能够迅速开启,提升开关速度,降低开关损耗。同时,其栅极电荷(Qg)在10V驱动下最大值为270nC,表明驱动电路要求适中,减少了驱动器的损耗。在输入电容(Ciss)方面,IRFP4868PBF在50V时的最大值为10774pF,这意味着在高频应用中也能够良好地维持信号完整性。

热管理及功率耗散

IRFP4868PBF在功率耗散方面表现出色,其最大功耗达到517W(Tc),具备良好的散热能力。通过有效的散热设计,工程师可以在全负荷下保持器件的可靠性,确保在高温工作环境下(工作温度范围为-55°C至175°C)不出现热失控。

应用领域

由于IRFP4868PBF具备卓越的电气性能及温度稳定性,因此适合于多种应用场景,包括但不限于:

  1. 电源管理:用于电源转换、DC-DC变换器等领域,IRFP4868PBF可作为主开关元件,实现高效的能量转换。
  2. 电机控制:在电动机驱动系统中,MOSFET可用于高效开关控制,适应于电动汽车、工业机械等形式的电机控制解决方案。
  3. 逆变器:在光伏发电、风能转换等可再生能源系统中,MOSFET能够适应高负载和高频开关的应用场合,提升能量的转换效率。
  4. 无线电及通讯设备:因其功耗低及响应快,适合在高频通讯设备中使用,保障信号质量及系统稳定性。

总结

总之,IRFP4868PBF是一款设计优良的N通道MOSFET,结合了高电压、高电流和低导通电阻的特性,适合于多种高功率应用。作为Infineon(英飞凌)公司的产品,其质量、可靠性和性能已经在业界得到了广泛的认可。有鉴于其卓越的热管理能力和广泛的工作温度范围,它是追求高效率、高可靠性的开关电源设计及控制系统中不可或缺的关键元件。对于电子设计师而言,IRFP4868PBF无疑是实现高效能解决方案的理想选择。