描述：场效应管(MOSFET) 150W；3.7W 100V 28A 1个N沟道 D2PAK
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100+
7.03
产品参数
属性参数值
制造商Vishay Siliconix
包装管件
零件状态有源
FET 类型N 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)28A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）77 毫欧 @ 17A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）4V @ 250µA
Vgs（最大值）±20V
功率耗散（最大值）3.7W（Ta），150W（Tc）
工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型表面贴装型
供应商器件封装D²PAK（TO-263）
封装/外壳TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
漏源电压（Vdss）100V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）72nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）1700pF @ 25V
基本产品编号IRF540
IRF540SPBF 产品概述
一、产品简介
IRF540SPBF是一款由Vishay Siliconix生产的高性能N沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），广泛应用于电源转换、电机驱动和开关电路等场景。其设计理念是为各种应用提供卓越的功率处理能力、高效的导通特性和耐用性。
二、基本参数
- 制造商: Vishay Siliconix
- 产品状态: 有源
- 类型: N通道MOSFET
- 封装类型: D²PAK (TO-263)，便于表面贴装
- 电气特性:
- 连续漏极电流 (Id): 28A @ 25°C
- 最大漏源电压 (Vdss): 100V
- 最大功率耗散: 3.7W (环境), 150W (结温)
- 最大Rds(on): 77mΩ @ 17A, 10V
- 最大Vgs: ±20V
- 门阈电压 (Vgs(th)): 4V @ 250µA
- 栅极电荷 (Qg): 72nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss): 1700pF @ 25V
三、产品特点
IRF540SPBF的主要特点包括：
- 高效能: 28A的连续漏极电流能力和低导通电阻（77毫欧），能够在较低的功率损失下提供高效的电源转换。
- 宽工作温度范围: 工作温度可承受在-55°C到175°C，适应于极端环境的应用，确保产品的稳定性和可靠性。
- 高功率处理: 在车辆、工业设备和高功率开关电源中，IRF540SPBF可承受高达150W的功率输出，适用于较大功率的应用。
- 良好的开关特性: 具有低的栅极电荷（Qg）和适中的输入电容（Ciss），使其能够快速切换，提升整体系统的响应速度。
四、应用场景
IRF540SPBF由于其强大的性能，适用于以下领域：
- 电源转换 (DC-DC变换器): 作为开关元件，用于电源模块的高效转换。
- 电动机驱动: 在电机控制电路中，实现高效开关，增强驱动系统的效率。
- 消费电子: 可用于各种类型的开关电源和音频放大器电路中，提升能效和性能。
- 工业控制系统: 在各种工业设备与监控系统中，IRF540SPBF能够可靠地控制电源流向。
五、技术支持
Vishay为IRF540SPBF产品提供了详细的技术资料和应用支持，包括特性曲线、接线图和PCB设计指南，以帮助工程师在设计阶段合理使用该元件。此外，Vishay的全球服务网络确保客户可以获得及时的技术支持和产品服务。
六、结论
总的来说，IRF540SPBF是一个以高效、耐用和广泛应用为特点的N沟道MOSFET，能够满足现代电子设备对功率、热管理以及环境适应性的严苛要求。其先进的设计理念和可靠的性能使得IRF540SPBF在电力电子领域扮演着重要的角色。通过其优异的规格和特性，该产品值得被广泛应用于各种高功率电路的开发中。