型号:

IRF540SPBF

品牌:VISHAY(威世)
封装:TO-263-3
批次:-
包装:管装
重量:-
其他:
IRF540SPBF 产品实物图片
IRF540SPBF 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 150W;3.7W 100V 28A 1个N沟道 D2PAK
库存数量
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(起订量: 1, 增量: 1
最小包:1000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
4.71
1000+
4.52
产品参数
属性参数值
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)28A
导通电阻(RDS(on))77mΩ@10V
耗散功率(Pd)150W
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
栅极电荷量(Qg)72nC
输入电容(Ciss)1.7nF
反向传输电容(Crss)120pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)560pF

IRF540SPBF 产品概述

一、产品简介

IRF540SPBF是一款由Vishay Siliconix生产的高性能N沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),广泛应用于电源转换、电机驱动和开关电路等场景。其设计理念是为各种应用提供卓越的功率处理能力、高效的导通特性和耐用性。

二、基本参数

  1. 制造商: Vishay Siliconix
  2. 产品状态: 有源
  3. 类型: N通道MOSFET
  4. 封装类型: D²PAK (TO-263),便于表面贴装
  5. 电气特性:
    • 连续漏极电流 (Id): 28A @ 25°C
    • 最大漏源电压 (Vdss): 100V
    • 最大功率耗散: 3.7W (环境), 150W (结温)
    • 最大Rds(on): 77mΩ @ 17A, 10V
    • 最大Vgs: ±20V
    • 门阈电压 (Vgs(th)): 4V @ 250µA
    • 栅极电荷 (Qg): 72nC @ 10V
    • 输入电容 (Ciss): 1700pF @ 25V

三、产品特点

IRF540SPBF的主要特点包括:

  • 高效能: 28A的连续漏极电流能力和低导通电阻(77毫欧),能够在较低的功率损失下提供高效的电源转换。
  • 宽工作温度范围: 工作温度可承受在-55°C到175°C,适应于极端环境的应用,确保产品的稳定性和可靠性。
  • 高功率处理: 在车辆、工业设备和高功率开关电源中,IRF540SPBF可承受高达150W的功率输出,适用于较大功率的应用。
  • 良好的开关特性: 具有低的栅极电荷(Qg)和适中的输入电容(Ciss),使其能够快速切换,提升整体系统的响应速度。

四、应用场景

IRF540SPBF由于其强大的性能,适用于以下领域:

  1. 电源转换 (DC-DC变换器): 作为开关元件,用于电源模块的高效转换。
  2. 电动机驱动: 在电机控制电路中,实现高效开关,增强驱动系统的效率。
  3. 消费电子: 可用于各种类型的开关电源和音频放大器电路中,提升能效和性能。
  4. 工业控制系统: 在各种工业设备与监控系统中,IRF540SPBF能够可靠地控制电源流向。

五、技术支持

Vishay为IRF540SPBF产品提供了详细的技术资料和应用支持,包括特性曲线、接线图和PCB设计指南,以帮助工程师在设计阶段合理使用该元件。此外,Vishay的全球服务网络确保客户可以获得及时的技术支持和产品服务。

六、结论

总的来说,IRF540SPBF是一个以高效、耐用和广泛应用为特点的N沟道MOSFET,能够满足现代电子设备对功率、热管理以及环境适应性的严苛要求。其先进的设计理念和可靠的性能使得IRF540SPBF在电力电子领域扮演着重要的角色。通过其优异的规格和特性,该产品值得被广泛应用于各种高功率电路的开发中。