PAM8008DR 产品概述

一、产品概述

PAM8008DR 是 DIODES（美台）提供的一款高效双声道 D 类音频功率放大器，工作温度范围为 -20℃ 至 +85℃，工作电压 2.5V 至 5.5V，能在 4Ω 负载下驱动到 2.4W×2（典型值）。器件集成度高、静态电流低（Iq = 8mA），适合便携式扬声器、智能音箱和消费类电子等需兼顾功率与能耗的应用。

二、主要参数

• 工作电压：2.5V ~ 5.5V
• 工作温度：-20℃ ~ +85℃
• 输出功率：2.4W × 2 @ 4Ω（典型）
• 功放类型：D 类功放（双声道）
• 静态电流（Iq）：8mA
• 效率：典型 83%～87%（视电源与负载而定）
• 总谐波失真+噪声（THD+N）：0.08%
• 信噪比（SNR）：95dB
• 电源纹波抑制比（PSRR）：70dB
• 封装：SOIC-16
• 品牌：DIODES（美台）

三、关键特性

• 高效能：D 类架构结合高转换效率，减小电源损耗与发热，延长电池续航。
• 低噪与低失真：THD+N 仅 0.08%，SNR 达 95dB，音质表现优良，适合中高保真场景。
• 良好电源抑制：PSRR 70dB，有效抑制电源纹波对音频输出的影响。
• 低静态电流：8mA 待机损耗低，利于便携设备和待机场景。

四、典型应用

• 便携式蓝牙音箱、迷你音响
• 平板/笔记本/一体机扬声器驱动
• 智能音箱、语音终端
• 车载非关键音频子系统（需留意温度等级）
• 家用多媒体设备、家庭影院小型声道

五、设计与布局建议

• 电源去耦：在 VDD 引脚附近放置 0.1μF 陶瓷与 4.7μF~10μF 低 ESR 电容做并联去耦，减小高频和低频纹波。
• 布局走线：输出与电源走线尽量短且粗，使用完整地平面以降低 EMI 与寄生阻抗，模拟输入端远离开关节点。
• 滤波与 EMI：若需满足 EMI 要求，可在输出端采用 LC 低通滤波器（参考器件手册选择合适电感与电容），或使用共模扼流圈抑制共模干扰。
• 热管理：典型工作时效率高但仍会有少量热量生成（总功耗受效率影响），建议为 SOIC-16 区域提供足够铜箔与过孔散热路径。
• 保护与稳定性：遵循厂家推荐的输入/输出回路和反馈补偿，避免不必要的负载变动；在输出与扬声器之间可考虑加短路或过流保护元件。

六、封装与可靠性

SOIC-16 封装便于常规 PCB 装配与自动贴片生产。器件额定工作温度 -20℃ 到 +85℃，适用于家用与大多数商用环境；如需更严苛温度或汽车级，应选择相应等级器件。

七、选型建议与替代

PAM8008DR 适合对效率、音质和成本有平衡需求的双声道应用。选择时注意系统供电范围（2.5V~5.5V）与扬声器阻抗匹配（推荐 4Ω）。若需更高功率或工业/汽车级温度，请考虑同厂或其它厂商的高功率/高温度等级 D 类放大器作为替代品，并对比 THD、SNR、PSRR 与封装散热特性。

总结：PAM8008DR 提供了高效率、低失真和低静态功耗的双声道解决方案，适合多类消费电子音频输出场景，设计时注意电源去耦、EMI 管理与热散设计，可获得稳定且高质量的音频表现。