ZXMN6A25GTA 是一款由 Diodes Incorporated 生产的 N 沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)。其设计面向各种现代电子应用,具备高效的开关性能和出色的热管理能力,能够有效处理高达 60V 的漏源电压,最大连续漏极电流为 4.8A。这款 MOSFET 的封装为 SOT-223,尺寸小巧,非常适合表面贴装,广泛应用于电源管理、电机驱动和其他高性能电子电路中。
高电流承载能力:在 25°C 环境温度下,ZXMN6A25GTA 能支持的最大连续漏极电流为 4.8A,能够满足多种中等功率应用的需求。
高漏极电压:其漏源电压 (Vdss) 可高达 60V,使得该器件适用于更高电压的电路设计,特别适合需要高安全余量的应用。
优异的导通电阻:在 10V 的栅极驱动电压下,其导通电阻可降至最大 50 毫欧,在 3.6A 电流下表现出优良的导通特性。这种低导通电阻的特性能有效减少在开关操作时的功率损耗,从而提高系统的整体效率。
宽广的工作温度范围:工作温度范围为 -55°C 到 150°C (TJ),使得 ZXMN6A25GTA 适合在极端环境下使用,增强了其应用的灵活性。
高栅极电压耐受性:其最大栅极驱动电压可达 ±20V,使该器件兼容于多种驱动电路,应用范围更为广泛。
低栅极电荷和输入电容:在 10V 的施加电压条件下,其栅极电荷为 20.4nC,而输入电容 (Ciss) 的最大值为 1063pF。这些特性确保了快速的开关速度和较小的驱动功耗,是高频应用中的一大优势。
ZXMN6A25GTA 被广泛应用于:
ZXMN6A25GTA 采用 SOT-223 封装,这是一个小型、低成本且易于表面贴装的封装形式,非常适合高密度电路设计。其结构设计也便于热量的分散,能够有效降低器件在高负载工作下的温度升高。
ZXMN6A25GTA MOSFET 是一种高性能、灵活多用的场效应管,尤其适合高电压和中等电流应用。它的低导通电阻、高温适应性以及快速开关能力,使其在现代电子应用中极具竞争力。Diodes Incorporated 作为可靠的制造商,承诺为客户提供高质量的产品,因此 ZXMN6A25GTA 在行业中倍受青睐。这款 MOSFET 的卓越性能和可靠性,确保了在复杂电子环境中的稳定运行,成为设计工程师的理想选择。