型号:

ZTX751

品牌:DIODES(美台)
封装:EP3SC
批次:24+
包装:编带
重量:-
其他:
ZTX751 产品实物图片
ZTX751 一小时发货
描述:三极管(BJT) 1W 60V 2A PNP TO-92-3
库存数量
库存:
7441
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:4000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
1.49
100+
1.19
1000+
1.06
2000+
1
产品参数
属性参数值
晶体管类型PNP
集电极电流(Ic)2A
集射极击穿电压(Vceo)60V
功率(Pd)1W
特征频率(fT)140MHz
集电极截止电流(Icbo)100nA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)280mV@2A,200mA
工作温度-55℃~+200℃@(Tj)

ZTX751 产品概述

产品介绍

ZTX751 是由知名半导体制造商 Diodes Incorporated 生产的一款 PNP 型晶体管,具有广泛的应用潜力,尤其适合高功率和高温度环境。作为一种有源元件,这款晶体管的设计旨在满足多种电子电路的需求,从简单的开关应用到复杂的信号放大,均能游刃有余。

主要规格

ZTX751 的主要电气参数包括:

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):2A,适合高负载条件下的操作。
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):60V,使其能够承受较高的电压而不发生击穿。
  • 功率 - 最大值:为1W,适合用于大功率放大和开关应用。
  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):在200mA时的饱和压降为500mV,这一特性对于提高电路效率至关重要。
  • 电流 - 集电极截止(最大值):仅为100nA(ICBO),说明其在关断状态下的漏电流极低,有助于提高整体电路的可靠性和性能。

频率特性

ZTX751 的频率 - 跃迁高达140MHz,适用于需要高速信号处理的场合。此特性使得 ZTX751 可以在射频应用和高频开关电路中表现出优秀的性能。

工作温度范围

该晶体管的工作温度范围为 -55°C 到 200°C(TJ),使其在极端环境下仍能稳定工作,适合航空航天、汽车电子和其他恶劣环境中使用。

封装及安装

ZTX751 采用 E-Line-3 封装,也可兼容 TO-92 封装形式,通过通孔安装简化了电路板的设计和产品的集成。这种封装形式的设计则有利于散热和提高安装的便捷性。

应用领域

ZTX751 的特点使其成为多个行业的理想选择,特别是在以下领域:

  1. 信号放大器:其高频响应及较低的饱和压降使其非常适合音频和 RF 放大器的设计。
  2. 电源开关:其高负载能力和低导通损耗使其能够高效地作为开关元件,适用于电源供应和功率管理应用。
  3. 线性稳压器:由于其在特定条件下的优越性能,ZTX751 可用作线性稳压器的输出组件。
  4. 模拟电路:在各种模拟信号处理电路中,ZTX751 提供高精度和可靠的解决方案。

总结

ZTX751 作为一款高性能 PNP 晶体管,凭借其优异的电气特性和广泛的适用性,成为众多电子设计工程师的首选。无论是在高功率应用、恶劣环境下的稳定工作,还是在快速信号处理中,ZTX751 都展现出极高的可靠性和效率。同时,Diodes Incorporated 的技术背景和市场信誉也为这一产品提供了额外的保障,为用户的最终应用提供了信心。