型号:

2SA1774EBTLR

品牌:ROHM(罗姆)
封装:EMT3F(SOT-416FL)
批次:24+
包装:编带
重量:-
其他:
-
2SA1774EBTLR 产品实物图片
2SA1774EBTLR 一小时发货
描述:Transistor: PNP; bipolar; 50V; 0.15A; 150mW;
库存数量
库存:
12000
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.0975
3000+
0.0774
产品参数
属性参数值
制造商Rohm Semiconductor
包装卷带(TR)
零件状态不適用於新設計
晶体管类型PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)500mV @ 5mA,50mA
电流 - 集电极截止(最大值)100nA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)120 @ 1mA,6V
频率 - 跃迁140MHz
工作温度150°C(TJ)
安装类型表面贴装型
封装/外壳SC-89,SOT-490
供应商器件封装EMT3F(SOT-416FL)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)150mA
电压 - 集射极击穿(最大值)50V
功率 - 最大值150mW

2SA1774EBTLR 产品概述

一、简介与定位

2SA1774EBTLR 是 ROHM(罗姆)生产的一款小信号 PNP 双极型晶体管,封装为小型表面贴装封装 EMT3F(同 SC-89 / SOT-416FL / SOT-490 系列),以卷带(TR)形式供货。该器件额定集电极击穿电压 50V、最大集电极电流 150mA、最大耗散功率 150mW,适用于低功耗小信号放大与开关场合。请注意:器件状态标注为“不适用于新设计”,在新产品开发时应考虑长期可获得性与替代器件。

二、主要电气参数(典型/最大值)

  • 极性:PNP,双极型晶体管(BJT)。
  • 最大集射极电压 VCEO:50V。
  • 最大集电极电流 Ic:150mA。
  • 最大耗散功率 Ptot:150mW(芯片结温 TJ 允许上限 150°C)。
  • 集电极截止电流 ICBO(最大):100nA(表征反向泄漏)。
  • 直流电流增益 hFE(最小值):120 @ Ic = 1mA,VCE = 6V(低电流区具有较高增益)。
  • 跃迁频率 fT:约 140MHz(适用于高频率小信号放大)。
  • 饱和压降 VCE(sat)(典型/最大):大约 500mV,在 Ib = 5mA、Ic = 50mA 条件下(请以厂方完整数据手册为准)。

以上参数为器件关键特性,具体在电路设计中应参照 ROHM 的官方数据手册获得完整曲线与典型值。

三、封装与热管理

2SA1774EBTLR 采用 EMT3F(SOT-416FL / SC-89)超小型表面贴装封装,适合高密度 PCB 布局。由于封装体积小,热阻较大,最大耗散功率 150mW 在实际电路中需要按环境温度降额使用:

  • 在布局时建议增大集电极/引脚下方的铜箔面积以改善散热。
  • 对于连续工作在较高电流/电压条件下,应降低 Ic 或采用外部散热措施以避免结温过高。
  • 最大结温 TJ = 150°C,设计时应保留安全裕度并遵循 PCB 温度提升控制。

四、典型应用场景

  • 低功耗小信号放大(射极跟随、共射极放大器)。
  • 高频小信号放大与缓冲(受益于较高的 fT)。
  • 通用开关器件(小电流驱动、逻辑电平转换)。
  • 音频前级与补偿电路中用作小信号放大或偏置元件(在满足功率与线性度要求下)。

由于为 PNP 器件,常与 NPN 器件配合用于对称推挽、对称放大或电平转换。

五、典型电路说明(使用建议)

  • 共射极配置:适用于电压放大,参考偏置电阻选择以保持 Ic 在安全区间,并考虑 hFE 在不同电流下变化。
  • 射极跟随(发射极输出):可用作低输出阻抗缓冲,注意 VCE(sat) 与对地电压裕度。
  • 驱动与饱和工作:若用于开关,应保证基极驱动电流 Ib 足以在所需 Ic 下将晶体管压入饱和区(参考 VCE(sat) 500mV @ Ib=5mA、Ic=50mA)。

六、选型与替代建议

  • 由于产品标注“不适用于新设计”,在长期量产或新项目中建议评估替代型号或向 ROHM 咨询可替代的在产型号。
  • 选型时关注关键指标:VCEO、Ic、hFE、fT 与封装热能力,以确保替代器件在电气与热性能上匹配或更优。

七、注意事项与可靠性

  • 存储与回流焊接按 ROHM 推荐的温度曲线和湿度敏感等级(MSL)处理,避免焊接损伤与潮湿吸收导致的封装裂纹(详细请参见厂方焊接指南)。
  • 在设计时考虑器件的漏电流随温度上升而增加,尤其是在高温工作环境下应留足裕度。
  • 对于高速应用,注意寄生电容与 PCB 布局对频率响应的影响,尽量缩短信号路径并使用良好接地。

如需更详细的特性曲线、引脚定义、典型应用电路与可靠性数据,请参考 ROHM 官方数据手册或联系供应商获得最新技术支持。