RQ3E180BNTB

产品概述：RQ3E180BNTB N沟道MOSFET

1. 产品描述

RQ3E180BNTB是由罗姆半导体（Rohm Semiconductor）制造的一款高性能N沟道金属氧化物场效应管（MOSFET）。该器件采用8-HSMT（3.2x3.0 mm）封装，专为需要高功率和高效率的电源管理应用而设计。其突出的电流处理能力和快速的切换特性使其成为各种电子设备中的理想选择，尤其适合开关电源、直流-直流转换器等场合。

2. 技术规格

• FET类型：N沟道
• 封装类型：8-HSMT，尺寸为3.2 mm x 3.0 mm
• 漏源电压（Vds）：30V，适合于中等电压应用
• 连续漏极电流（Id）：39A（取决于工作温度和散热条件）
• 导通电阻（Rds(on)）：在10V Vgs下，最大值为3.9毫欧（在18A时），确保低功耗损耗和高效率运行
• 阈值电压（Vgs(th)）：最大2.5V @ 1mA，考虑到电路设计的方便性
• 最大栅极驱动电压（Vgs）：±20V，使得设计者能够使用多种驱动电压
• 栅极电荷（Qg）：最大值为37nC @ 4.5V，这保证了快速响应时间，尤其在高频开关应用中
• 输入电容（Ciss）：最大3500pF @ 15V，有助于提高开关速度
• 功率耗散（Pd）：在环境温度（Ta）下最大为2W，而在结温（Tc）下最大可达20W，适合高功率应用
• 工作温度范围：从-55°C到150°C，提供了极其优越的环境适应性，适用于严苛的工业和汽车应用

3. 应用场景

RQ3E180BNTB由于其高效能和耐受性，适用于多种应用，包括但不限于：

• 开关电源：广泛应用于电源转换和稳压电路中，由于其高效能和小型封装，能够有效缩小电源设计的体积，提高系统功率密度。
• 电机驱动：在直流电机控制和步进电机驱动中，RQ3E180BNTB可以用作开关器件，提供快速的开关动作并减少功耗。
• 电池管理系统（BMS）：在电子产品的电池充电和放电管理中，可以提高处理效率，延长电池寿命。
• LED驱动：用作高效LED驱动器，能够在不同电流条件下保持低热损耗，确保LED的高亮度和稳定性。

4. 总结

RQ3E180BNTB N沟道MOSFET不仅在电气参数上表现出色，而且凭借其耐高温的工作特性，适合用于严苛的环境，其紧凑的封装形式极大地提高了设计的灵活性和效率。无论是电源管理、工业automations、汽车电子还是消费类电子产品，该产品都可以提供稳定的性能和良好的可靠性，是设计工程师值得选择的理想器件。