型号:

PESD5Z6.0,115

品牌:Nexperia(安世)
封装:SC-79(SOD-523)
批次:25+
包装:编带
重量:0.011g
其他:
PESD5Z6.0,115 产品实物图片
PESD5Z6.0,115 一小时发货
描述:ESD二极管 PESD5Z6.0,115 SOD-523
库存数量
库存:
230
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
1.2
3000+
1.13
产品参数
属性参数值
极性单向
反向截止电压(Vrwm)6V
钳位电压18V
峰值脉冲电流(Ipp)10A@8/20us
峰值脉冲功率(Ppp)180W
击穿电压6.8V
反向电流(Ir)2nA
通道数单路
防护等级IEC 61000-4-5;IEC 61000-4-2
类型ESD
Cj-结电容78pF

PESD5Z6.0,115(Nexperia 安世)产品概述

一、产品简介

PESD5Z6.0,115 是 Nexperia(安世)推出的一款单路、单向 ESD 抑制二极管,封装为 SC-79 (SOD-523),针对敏感电子接口提供高性能瞬态浪涌与静电放电保护。器件遵循 IEC 61000-4-5(浪涌)与 IEC 61000-4-2(静电)标准,适用于受限空间的消费类与工业电子产品。

二、主要电气参数

  • 钳位电压(VCL):18 V(典型峰值钳位)
  • 击穿电压(VBR):6.8 V
  • 反向工作电压(Vrwm):6 V
  • 峰值脉冲功率(Ppp, 8/20μs):180 W
  • 峰值脉冲电流(Ipp, 8/20μs):10 A
  • 结电容(Cj):约 78 pF
  • 反向漏电流(Ir):2 nA
  • 通道数:单路;极性:单向;类型:ESD/浪涌保护

三、关键特性与优势

  • 高能量吸收能力:180 W(8/20μs)脉冲承受能力,可处理较强的浪涌与冲击电流(Ipp=10 A)。
  • 低钳位电压:在瞬态到达时能将电压限制到约 18 V,减小对受保护器件的应力。
  • 低漏电与适中结电容:Ir 仅 2 nA,适合对待机功耗敏感的系统;78 pF 的结电容在多数低速与中速接口中可接受,但对极高速差分信号需评估影响。
  • 小型封装:SOD-523 (SC-79) 占板面积小,适合空间受限的应用。

四、典型应用场景

  • USB、串口及一般 I/O 端口的静电与浪涌防护(尤其 5 V 或略高工作电压系统)
  • 手机配件、摄像头模块、物联网终端与便携设备的输入接口保护
  • 工业控制器与传感器模块的端口防护(需结合系统浪涌等级评估)

五、封装与布局建议

  • 封装:SC-79 (SOD-523),适合自动贴片工艺。器件在 PCB 上应靠近受保护的引脚放置,尽量缩短到地线的走线长度以降低寄生感抗。
  • 极性:单向型在正常工作时为反向偏置,需将器件阴极(标记端)连至被保护信号线,阳极接地。
  • 接地:推荐使用较低阻抗的接地平面,并在器件附近做短且粗的地回流,必要时在地平面处增加过孔改善散热与承流能力。

六、选型与使用注意

  • 工作电压匹配:Vrwm=6 V,适合 5 V 类系统;对更高电压系统请选用 Vrwm 相应更高的型号。
  • 结电容考虑:78 pF 对高速差分信号(如高速 USB/USB3.0)可能引入信号失真,选型时需权衡;若对高速性能有严格要求,可优先考虑低电容款。
  • 热与浪涌预算:若应用需承受持续高能量脉冲或多次冲击,应在系统级进行能量分担与热设计验证。
  • 测试与验证:在目标电路中进行 IEC 标准波形的实测验证,确认钳位、电流与对系统功能的影响。

本器件以其紧凑体积、良好的浪涌吸收能力与对 5 V 类接口的兼容性,适合大多数便携与嵌入式系统的ESD/浪涌保护需求。