型号:

CSD19538Q3A

品牌:TI(德州仪器)
封装:8-VSONP(3x3.15)
批次:-
包装:编带
重量:0.182g
其他:
CSD19538Q3A 产品实物图片
CSD19538Q3A 一小时发货
描述:表面贴装型-N-通道-100V-15A(Ta)-2.8W(Ta),-23W(Tc)-8-VSONP(3x3.15)
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产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)15A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)49mΩ@10V,5A
功率(Pd)2.8W
阈值电压(Vgs(th)@Id)3.2V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)4.3nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)454pF@50V
反向传输电容(Crss@Vds)16.4pF@50V
工作温度-55℃~+150℃

CSD19538Q3A 产品概述

产品基本信息

CSD19538Q3A 是由德州仪器(Texas Instruments)设计和制造的一款高性能 N 频道 MOSFET,适用于各种功率管理和开关应用。该器件专柜于表面贴装(SMD)型形式,采用紧凑的 8-VSONP(3x3.15)封装,使其在空间受限的设计中表现出色。CSD19538Q3A 具备广泛的工作参数,能够满足高效能运作的需求,其主要应用领域包括电源转换、驱动电路、以及其他需要高频开关的应用。

主要技术参数

  1. 导通电阻(Rds(On)):在 5A 和 10V 的条件下,CSD19538Q3A 的最大导通电阻为 59 毫欧,保证了在高负载情况下的低功耗表现。这一特性可显著降低功率损耗,提高系统的整体效率。

  2. 连续漏极电流(Id):在环境温度 25°C 下,该器件能够承受最大 15A 的连续漏极电流,适应多种高负载条件。结合其较高的功率耗散,CSD19538Q3A 可在不同的工作环境中稳定运行。

  3. 驱动电压(Vgs):该 MOSFET 在 6V 至 10V 的栅极驱动电压下工作,可根据应用需要调节驱动电压,以实现最佳性能。在栅极电荷(Qg)为 4.3nC 的条件下,能够快速启动和关断,适合高速开关应用。

  4. 漏源电压(Vdss):其漏源耐压为 100V,适用于多种中高压应用。

  5. 输入电容(Ciss):在 50V 的条件下,CSD19538Q3A 的最大输入电容为 454pF,帮助用户在设计中优化驱动信号和延迟时间,进一步提升电路的响应速度和效率。

  6. 工作温度范围:该器件的工作温度范围为 -55°C 到 150°C,确保在严酷环境下的可靠性,适合工业、汽车和消费电子等多个领域。

应用领域

CSD19538Q3A 可广泛应用于多个领域,包括但不限于:

  • 电源管理:在电源转换器中用于高效开关,以实现更好的能量管理和效率提升。
  • 电动机驱动:可作为高功率电动机控制器的一部分,提供强有力的驱动输出,同时保持低热量生成。
  • DC-DC 转换器:适用于各种升压或降压转换器架构,支持高频切换和高效能输出。
  • 汽车电子:能够承受恶劣的环境条件和广泛的工作温度,适合在汽车电源系统中广泛使用。

总结

CSD19538Q3A 的设计满足了高效能、高可靠性和宽应用范围等关键要求,特别适合现代电子设备的功率管理需求。这款 N 频道 MOSFET 的顶尖性能和灵活性,使其成为工程师设计方案中不可或缺的重要元件。借助于其低 Rds(on)、高电流耐受能力和优异的温度匹配特性,CSD19538Q3A 能够支持从消费电子到工业设备的各类应用,为设计师提供了极大的设计灵活性和最佳的效率表现。