型号:

2SD1664T100Q

品牌:ROHM(罗姆)
封装:MPT3(SOT-89)
批次:-
包装:编带
重量:0.131g
其他:
2SD1664T100Q 产品实物图片
2SD1664T100Q 一小时发货
描述:三极管(BJT) 2W 32V 1A NPN SC-62
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产品参数
属性参数值
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)1A
集射极击穿电压(Vceo)32V
功率(Pd)2W
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)120@100mA,3V
特征频率(fT)150MHz
集电极截止电流(Icbo)500nA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)400mV@50mA,500mA

2SD1664T100Q 产品概述

产品简介

2SD1664T100Q 是一款高性能的 NPN 型双极晶体管 (BJT),用于各种电子电路的信号放大和开关应用。这款晶体管特别适合在高频率和高温环境下工作,其显著的性能参数和小巧的封装使其成为电源管理、音频放大和通用开关器件等应用的理想选择。

基本参数和特性

  • 额定功率: 2W
  • 集电极电流 (Ic): 1A
  • 集射极击穿电压 (Vce): 32V
  • 最大 Vce 饱和压降: 400mV @ 50mA,500mA
  • 最大截止电流 (ICBO): 500nA
  • 最小 DC 电流增益 (hFE): 120 @ 100mA,3V
  • 频率 - 跃迁: 150MHz
  • 工作温度: 最高可达 150°C
  • 封装类型: SOT-89 (MPT3)
  • 安装方式: 表面贴装型

电气特性分析

2SD1664T100Q 能在高达 1A 的集电极电流和 32V 的集射极击穿电压下稳定工作,其最大功率为 2W,满足大多数中等功率应用的需求。该晶体管的饱和压降小于 500mV,使其在开关操作中具备较小的能量损失,从而提高了整体效率。

其 DC 电流增益 (hFE) 的最小值为 120,这意味着即使在较小的基极电流下,也能够驱动较大的集电极电流,是高增益应用的良好选择。同时,在高频操作下,其跃迁频率高达 150MHz,使其适用于需要快速开关和信号处理的场合,如 RF 放大器、开关电源等。

温度特性与可靠性

2SD1664T100Q 的工作温度范围最高可达 150°C,这样的高温限值使得该器件适合在恶劣环境下应用,同时其最大截止电流仅为 500nA,确保了在关断状态下的低功耗表现。这一特性在电池供电的便携式设备中尤为重要,能够显著延长电池的使用寿命。

封装与安装

该器件采用 SOT-89 (MPT3) 封装形式,具有较小的体积,适合现代电子产品对空间的苛刻要求。表面贴装的设计简化了制造工艺,提高了装配效率,并适应更高的发展趋势,尤其是在自动化生产中,能够减少人工装配的误差。

应用领域

2SD1664T100Q 广泛应用于:

  1. 功率放大器: 支持音频和射频应用,提升信号的输出能力。
  2. 开关电源: 在高频开关电源中,充当开关和调节电流的角色,确保电源的稳定性。
  3. 信号调制: 用于各种信号调制线路,提升信号的传输质量。
  4. 电机驱动: 作为电机驱动电路中的信号放大器,控制电机的启停。

结论

2SD1664T100Q 是一款性能优异、适应性广泛的 NPN 晶体管,适合用于各种现代电子电路设计中。其卓越的电气特性、高温工作能力以及小型化的封装,使其在电源管理、信号处理、高频应用等领域展现出极大的潜力。通过在设计中合理选用该晶体管,可以有效提升产品的性能和效率,以及拓宽其应用范围。