型号:

PUMB16,115

品牌:Nexperia(安世)
封装:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
批次:-
包装:编带
重量:1g
其他:
PUMB16,115 产品实物图片
PUMB16,115 一小时发货
描述:数字晶体管 300mW 50V 100mA 2个PNP-预偏置 SOT-363
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3000+
0.141
产品参数
属性参数值
晶体管类型2个PNP-预偏置
集射极击穿电压(Vceo)50V
集电极电流(Ic)100mA
功率(Pd)300mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)30@10mA,5V
最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo)1.9V@20mA,0.3V
最大输入电压(VI(off)@Ic/Io,Vce/Vcc)1.1V@100uA,5V
输入电阻4.7kΩ
电阻比率1

PUMB16,115 产品概述

产品背景

PUMB16,115是一款由知名电子元器件制造商Nexperia(安世半导体)生产的数字晶体管。其设计遵循高效能和低功耗的理念,非常适合在各种电子应用中充当开关或放大器。这款晶体管具备双PNP结构,加之预偏压的设计,能够满足现代电子设备在小型化和高性能方面的需求。

基本参数

PUMB16,115具有一系列令人印象深刻的规格,其主要参数如下:

  • 晶体管类型:双PNP预偏压式设计,适合需要双路集电极输出的应用。
  • 最大集电极电流 (Ic):100mA。在需处理较大电流的电路中,该参数提供了良好的适应性。
  • 电压 - 集射极击穿 (Vce):最大50V,确保在高电压环境中稳定工作。
  • 基极电阻 (R1):22千欧,优化基极电流,提升工作效率。
  • 发射极电阻 (R2):47千欧,终于有效控制发射极电流,提高电路的整体稳定性。
  • DC电流增益 (hFE):在Ic为5mA及Vce为5V时,hFE的最小值为80,展示了该晶体管的良好增益特性。
  • 饱和压降 (Vce(sat)):在Ib为500µA及Ic为10mA时,最大值为150mV,能有效降低功耗,提升工作效率。
  • 集电极截止电流 (Ic(max)):1µA,展现了晶体管在非导通状态下的良好性能。
  • 功率最大值:可达300mW,适合于各种功率要求的电路设计。
  • 安装类型:表面贴装型,便于在现代小型化电子产品中使用。
  • 封装/外壳:采用6-TSSOP(SOT-363),外形小巧,适合高密度安装的应用场景。

应用场景

PUMB16,115数字晶体管具备较尊重的电流和电压特性,适用于许多不同的应用场景,包括但不限于:

  1. 开关电路:由于其低饱和压降和较高的hFE,该晶体管可广泛用于开关电源、照明电路和继电器驱动等场合。
  2. 放大电路:在音频放大、传感器信号处理和通信设备中,PUMB16,115能够作为高效率的信号放大器。
  3. 数字电路:在微处理器和微控制器外围电路中,能够有效控制信号传输和电源管理。
  4. 消费者电子:广泛应用于电视、音响、家用电器等设备的控制电路中,其小型化设计使得安装更为便捷。

设计优势

使用PUMB16,115产品,设计工程师可以获得多个显著优势:

  • 高性能与低功耗:得益于其优良的DC电流增益和低饱和压降,该晶体管能够提升系统的整体效率,降低热生成,提高产品的可靠性。
  • 紧凑设计:6-TSSOP封装提供了电子设备所需的小尺寸,为现代设计师提供鲁棒的解决方案,能够轻松集成入紧凑的电路板布局中。
  • 广泛的适用性:由于其参数范围,PUMB16,115能广泛应用于不同领域,使设计工程师在选择元器件时更具灵活性。

结论

总体来说,PUMB16,115是一款功能强大、性能优越的数字晶体管,适合在多种电子应用中使用。凭借Nexperia的品牌背书和高标准的制造工艺,PUMB16,115设备确实为现代电子设计提供了高效、可靠且经济的解决方案。无论是在消费电子、工业控制还是通信领域,PUMB16,115都是设计工程师非常值得考虑的选择。