型号:

PUMB4,115

品牌:Nexperia(安世)
封装:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
批次:-
包装:编带
重量:1g
其他:
PUMB4,115 产品实物图片
PUMB4,115 一小时发货
描述:数字晶体管 300mW 50V 100mA 2个PNP-预偏置 SOT-363
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200+
0.176
1500+
0.154
产品参数
属性参数值
晶体管类型2个PNP-预偏置
集射极击穿电压(Vceo)50V
集电极电流(Ic)100mA
功率(Pd)300mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)200@1mA,5V
输入电阻10kΩ

PUMB4,115 产品概述

PUMB4,115是由Nexperia(安世)公司推出的一款高性能数字晶体管,采用6-TSSOP封装,具备出色的电气性能和可靠性。该产品是双PNP预偏压式晶体管设计,特别适合在需求较低功率及高电流增益的应用场合中使用。

主要特性

  1. 晶体管类型: PUMB4,115集成了两个PNP晶体管,其设计旨在提供优良的电流放大特性,并且由于其预偏压设计,能够在更低的输入电流下达到较高的集电极电流输出。

  2. 电流和电压规格

    • 最大集电极电流(Ic):100mA,适合各种通用负载的驱动。
    • 最大集射极击穿电压(Vce):50V,确保在高压应用中的安全性和可靠性。
    • 集电极截止电流:仅为1µA,显示该器件在开关断开时几乎没有漏电流,是低功耗设计的理想选择。
  3. 电流增益 (hFE): 在不同的Ic和Vce条件下,PUMB4,115展现出极高的DC电流增益(hFE),最低可达200,特别是在1mA的输入电流和5V的工作电压下。这使得它能够在不同操作条件下依然提供稳定的放大效果,满足多种应用需求。

  4. 饱和压降: 在饱和区,Vce的最大压降为150mV(在500µA至10mA的范围内),这意味着在开关状态下,能有效减少功率损耗,提高系统效率。

  5. 功率处理能力: PUMB4,115能够承受高达300mW的功率,使其能够在多种温度和负载条件下正常工作,能够应对多样化的应用环境。

  6. 安装类型及封装: 该器件为表面贴装型,封装规格为6-TSSOP,SC-88,和SOT-363,适合现代电子设备中高密度布局的需求,减少板级空间占用,提高整体设计的紧凑性。

应用场景

PUMB4,115的特性使其广泛应用于以下领域:

  • 开关电源:利用其低饱和压降和高电流增益,适合用作开关电源的开关元件,提高能源转换效率。
  • 信号放大:在无线通信和音频设备中,可以作为信号放大器,增强微弱信号,提升信号传递质量。
  • 行驶控制:在汽车电子中,为传感器和执行器提供可靠的驱动,增强系统的响应速度和稳定性。
  • LED驱动器:在照明设备中,作为LED驱动电路的一部分,能够高效地控制大功率LED的开关和调光功能。

结论

PUMB4,115是Nexperia公司推出的一款设计先进、性能卓越的双PNP数字晶体管,凭借其高额的电流增益、低饱和压降及合理的功率处理能力,成为各种电子应用中的理想选择。其紧凑的封装设计及高效的工作性能,使其在当今的微型化电子产品设计中尤为重要,适应了现代电子产品对高性能和低功耗的追求,为设计工程师提供了更多的选择和便利。无论是在消费电子、工业自动化还是汽车电子领域,PUMB4,115都将为设计带来更高的价值。