型号:

PUMD9,115

品牌:Nexperia(安世)
封装:TSSOP-6
批次:2年内
包装:编带
重量:0.022g
其他:
PUMD9,115 产品实物图片
PUMD9,115 一小时发货
描述:数字晶体管 300mW 50V 100mA 1个NPN,1个PNP-预偏置 SOT-363-6
库存数量
库存:
638
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.121
3000+
0.0961
产品参数
属性参数值
集射极击穿电压(Vceo)50V
集电极电流(Ic)100mA
功率(Pd)300mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)100@5mA,5V
最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo)800mV@1mA,0.3V
最大输入电压(VI(off)@Ic/Io,Vce/Vcc)700mV@100uA,5V
输入电阻10kΩ
电阻比率4.7
工作温度-65℃~+150℃

产品概述:PUMD9,115 数字晶体管

1. 产品简介

PUMD9,115 是一款高性能的数字晶体管,采用先进的半导体技术制造,专为低功耗和高效驱动应用而设计。这款产品包含一个 NPN 晶体管和一个 PNP 晶体管,均为预偏置式,适合用于各种数字电路和开关控制场景。由于其卓越的电气特性和紧凑的封装,PUMD9,115 成为嵌入式系统、无人机、消费电子和工业自动化等领域的理想选择。

2. 主要参数

  • 额定功率: 300mW
  • 集电极电流 (Ic): 最大 100mA
  • 集射极击穿电压 (Vce): 最大 50V
  • 电流增益 (hFE): 最小 100 @ 5mA,5V
  • 饱和压降 (Vce(sat)): 最大 100mV @ 250µA,5mA
  • 基极电阻 (R1): 10kΩ
  • 发射极电阻 (R2): 47kΩ
  • 集电极截止电流: 最大 1µA

3. 结构特点

PUMD9,115 采用SOT-363(TSSOP-6)封装,具有极小的尺寸和轻量化的特点,适用于表面贴装(SMT)技术。这种封装形式使其能够在空间有限的电路板设计中,实现更高的集成度和更小的占用面积。此外,表面贴装型的设计可以在自动化生产中增加生产效率。

4. 性能优势

PUMD9,115 的设计保证其在高频率和高效率操作下仍能保持良好的性能。它的 DC 电流增益高达 100,使得其在小信号的放大方面更加出色。同时,其在低集电流情况下的饱和压降仅为 100mV,大大减少了功耗和发热,增加了电路的可靠性。

其最大的集电极电流为 100mA,使得 PUMD9,115 能够在各种负载条件下运行,而不必担心过载的问题。此外,其集射极击穿电压为 50V,可以广泛应用于大多数标准的电源及信号线环境中。

5. 应用场景

PUMD9,115 适合用于多种应用,具体包括但不限于:

  • 消费电子: 电视机、音响、家居自动化系统等。
  • 工业控制: 传感器信号处理、面板控制、机器人控制等。
  • 汽车电子: 智能仪表、车载信息系统、灯光控制等。
  • 嵌入式系统: 各种需要高效开关与控制的微控制器和 FPGA 设计中。

6. 安全与稳健性

PUMD9,115 的设计符合国际标准,具备一定的抗干扰能力,可在不同温度和电流环境下稳定运行。此外,由于其较低的集电极截止电流(1µA),在待机模式下非常省电,提升了整体产品的效率。

7. 总结

PUMD9,115 是一个集高性能、节能和小型化于一体的数字晶体管,能够满足现代电子产品对于高效能和可靠性的需求。其多功能性和优良的电气特性,使其在众多应用领域中具有广泛的适用性和出色的市场竞争力。安世(Nexperia)作为知名的半导体供应商,保证了该产品在质量和性能上的可靠性,使得 PUMD9,115 成为设计工程师的优选元器件。