型号:

BSS64,215

品牌:Nexperia(安世)
封装:TO-236AB
批次:23+
包装:编带
重量:0.024g
其他:
BSS64,215 产品实物图片
BSS64,215 一小时发货
描述:三极管(BJT) 250mW 80V 100mA NPN SOT-23
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最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.484
200+
0.312
1500+
0.271
3000+
0.24
产品参数
属性参数值
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)100mA
集射极击穿电压(Vceo)80V
功率(Pd)250mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)20@10mA,1V
特征频率(fT)100MHz
集电极截止电流(Icbo)100nA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)200mV@15mA,50mA

BSS64,215是一款由安世半导体(Nexperia)生产的高性能NPN晶体管,广泛应用于各种电子电路中。它具有250mW的额定功率,集射极击穿电压(Vce)高达80V,集电极电流(Ic)最高可达100mA。这款半导体器件以其优良的电气特性和紧凑的封装形式,成为设计人员在电源管理、开关电路和放大电路中的理想选择。

主要参数及特性

  1. 电气特性

    • 额定功率:BSS64,215的额定功率为250mW,适合低功耗应用。
    • 击穿电压:其集射极击穿电压Vce达到80V,表明其在高电压环境下的稳定性,这使得该元件能够在高压电路中安全工作。
    • 集电极电流:最大集电极电流为100mA,适合驱动中等负载的电路,同时也可以处理小型负载的应用。
  2. 饱和压降

    • 在不同的基极电流(Ib)和集电极电流(Ic)状态下,该晶体管的Vce饱和压降最大仅为200mV(在15mA与50mA时),这意味着在开关状态下的能量损耗极低,提高了整体系统效率。
  3. 截止电流

    • 该器件的集电极截止电流(ICBO)最大值为100nA,显示其在关闭状态下对电流的极低泄漏能力。
  4. 电流增益

    • 在10mA集电极电流和1V的情况下,DC电流增益(hFE)的最小值为20,确保器件在放大模式下的有效增益。
  5. 频率特性

    • BSS64,215的跃迁频率(ft)可达100MHz,使其在高频应用中表现出色,适合射频和开关电源等需求较高的应用。

工作环境

该晶体管的工作温度范围可高达150°C(TJ),适合于高温环境,保证其在恶劣条件下的稳定性能。无论是汽车、工业控制还是消费电子,BSS64,215均能提供可靠的性能支持。

封装与安装方式

BSS64,215采用TO-236AB封装,这是一种表面贴装型(SMD)封装形式,适合现代电子产品的紧凑设计。TO-236AB封装不仅节省PCB空间,还有助于提高电路的整体集成度。此外,其SOT-23-3封装形式使得在自动化生产时更便于操作,提高了制造效率和产品一致性。

应用场景

BSS64,215广泛应用于多个领域,包括但不限于:

  • 开关电源:作为开关控制器使用,在高效能电源管理中发挥重要作用。
  • 信号放大器:利用其高电流增益特性,在音频或射频应用中放大微弱信号。
  • 信号开关:在数字电路中快速切换信号,提高系统的响应速度。
  • LED驱动:可用于低功耗LED的驱动电路,提供稳定的驱动电流。

总结

综上所述,BSS64,215是一款性能优异的NPN晶体管,凭借其卓越的电气特性、环境适应能力和紧凑的封装设计,成为了众多电子产品设计中的首选。无论是电源管理、开关电路还是信号放大,BSS64,215都可为设计师提供可靠的支持与保障。选择BSS64,215,不仅可以提升产品的性能,同时降低能耗,为现代电子设备的开发增添优势。