描述：ESD二极管 PESD5V0L5UV,115 E2 5V SOT-666 单向
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0.548
4000+
0.509
产品参数
属性参数值
极性Unidirectional
峰值脉冲电流（10/1000us）2.5A (8/20us)
箝位电压12V
击穿电压（最小值）6.4V
反向关断电压（典型值）5V (Max)
类型齐纳
单向通道5
电压 - 反向断态（典型值）5V（最大）
电压 - 击穿（最小值）6.4V
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）12V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs)2.5A（8/20µs）
功率 - 峰值脉冲25W
电源线路保护无
应用通用
不同频率时电容16pF @ 1MHz
工作温度-65°C ~ 150°C（TA）
安装类型表面贴装型
封装/外壳SOT-563，SOT-666
供应商器件封装SOT-666
PESD5V0L5UV,115 产品概述
概述
PESD5V0L5UV,115 是由安世半导体（Nexperia）生产的一款高性能ESD（静电放电）保护二极管，主要采用SOT-666封装。该器件专为保护敏感电子元件免受静电放电和其他瞬态电压事件的影响，广泛应用于消费电子和工业设备中，以提升设备的可靠性和耐用性。
主要特性
极性与类型：PESD5V0L5UV,115 是一款单向齐纳二极管，具有不对称的瞬态电压抑制能力，专为反向电压保护设计。
电压规格：
- 反向断态电压（V_R）在典型情况下约为5V，最大可达5V，适用于需要稳定的电压保护的小型电路。
- 击穿电压（V_BR）的最小值为6.4V，确保在电压超出正常工作范围时有效限制电压。
- 箝位电压为12V，能够有效保护电路免受高电压冲击。
脉冲电流：本产品能够承受的峰值脉冲电流（Ipp）为2.5A（在10/1000µs时），这使得它能够处理瞬态电流的快速波动，如在使用过程中常见的电压尖峰。
功率处理能力：其峰值脉冲功率为25W，可以应对较大的瞬态事件，适合用于各种应用场合。
频率特性：PESD5V0L5UV,115 在1MHz时的电容值为16pF，这一特性使得它在高频应用中具有较低的信号失真，适合用于RF和高速数字信号电路。
工作温度范围：其工作温度范围广泛，从-65°C到150°C，满足了不同环境下的应用需求。
小型封装：采用SOT-666封装，便于在紧凑的电路板空间中安装，同时有助于降低整体的电路占用面积。
应用场景
PESD5V0L5UV,115 作为一款通用型ESD二极管，广泛应用于以下场景：
- 消费电子：如智能手机、平板电脑和其他移动设备，保护其内部电路免受静电损害。
- 计算机设备：包括主板、外设接口等，保证稳定的工作和数据传输。
- 工业控制系统：在工控设备中，防止瞬态电流对PLC和传感器的影响。
- 汽车电子：为汽车电子产品提供静电保护，提高车载设备的安全性与稳定性。
结论
PESD5V0L5UV,115 是一款功能强大、性能可靠的静电放电保护微小器件，源自Nexperia的高品质制造背景，能够满足现代电子设备对可靠性和稳定性的严格要求。其在多种应用场景中的广泛适用性以及出色的电气性能，使其成为设计工程师推荐的优选。在设计产品时，确保选用合适的ESD保护器件是保障电子设备正常运作的重要措施之一，而 PESD5V0L5UV,115 则是实现这一目标的理想选择。