型号:

IRFS7530TRL7PP

品牌:Infineon(英飞凌)
封装:TO-263-7
批次:23+
包装:编带
重量:1.73g
其他:
IRFS7530TRL7PP 产品实物图片
IRFS7530TRL7PP 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 375W 60V 240A 1个N沟道 TO-263-7
库存数量
库存:
1625
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:800
商品单价
梯度内地(含税)
1+
6.42
800+
6.2
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)338A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)1.4mΩ@10V,100A
功率(Pd)375W
阈值电压(Vgs(th)@Id)3.7V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)354nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)12.96nF
反向传输电容(Crss@Vds)760pF
工作温度-55℃~+175℃

IRFS7530TRL7PP 产品概述

产品名称: IRFS7530TRL7PP
品牌: 英飞凌(Infineon)
类型: N沟道MOSFET
封装类型: TO-263-7
应用领域: 开关电源、DC-DC转化器、电动汽车、工业控制、以及高效能电源管理系统等。

关键参数

IRFS7530TRL7PP 是英飞凌公司出品的一款高性能N沟道金属氧化物场效应管(MOSFET),其主要技术规格包括:

  • 漏源电压(Vdss): 60V
  • 持续漏极电流(Id): 25°C的环境下可达240A(在适当的散热条件下)
  • 栅源极阈值电压(Vgs(th): 3.7V @ 250µA,表明了MOSFET开通所需的最小栅源电压。
  • 漏源导通电阻(Rds(on): 1.4mΩ @ 100A, 10V,表示在高电流下的优异导电性能,能够有效降低开关损耗。
  • 最大功率耗散(Pd): 375W(在250°C时,以适当的散热条件下),表明了其在高功率应用中的适用性。
  • 工作温度范围: -55°C至175°C,保证了在严苛环境下的可靠性。

物理特性

该器件采用TO-263-7封装设计,结合表面贴装技术,提供良好的散热性能和安装便利性。该封装不仅有效利用了板级空间,同时也兼顾了器件的散热管理能力。

电气特性

IRFS7530TRL7PP的输入电容(Ciss)在25V时为12960pF,极低的输入电容使其能够快速开关,适合高速开关应用。栅极电荷(Qg)最大值为354nC @ 10V,这使得驱动电路设计更加简便,降低了开关损耗。

应用优势

此款MOSFET适用于多种电力电子应用,可在高电流和高频开关条件下发挥出色性能。其低Rds(on)和高热功耗处理能力,使得该器件在功率管理、汽车电子以及工业控制中日益受到青睐。

典型应用场景

  1. 开关电源(SMPS): 在AC-DC及DC-DC转换系统中充当主开关,以高效地转化电能。
  2. 电动汽车驱动系统: 作为逆变器中的功率开关,实现高效能电机驱动。
  3. 电子负载及电源驱动: 在高负载下提供稳定的电流输出,满足工业自动化需求。
  4. 功率放大器: 在RF应用中作为输出级开关器件,实现增强信号的放大效果。

总结

IRFS7530TRL7PP是一款具有高功率密度、高效能、宽工作温度范围的N沟道MOSFET,适合各种高频开关和功率管理应用。作为英飞凌的明星产品之一,它凭借卓越的电气特性和物理设计,为客户提供了高效的解决方案,助力现代电子应用的高效与安全。无论是在极端环境下工作,还是在高负载条件下,IRFS7530TRL7PP都展现出其优越的性能和可靠性,是现代电力电子设计中不可或缺的重要元器件之一。