描述：Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 6A; 1.69W; SOT223
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产品参数
属性参数值
FET 类型N 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）300V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)430mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）4 欧姆 @ 300mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）4.8nC @ 10V
Vgs（最大值）±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）174pF @ 25V
功率耗散（最大值）360mW（Ta）
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型表面贴装型
供应商器件封装SOT-23
封装/外壳TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
DMN30H4D1S-7 产品概述
1. 产品简介
DMN30H4D1S-7 是一款高性能的 N 通道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高电压和中等电流应用设计。该元器件主要应用于开关电源、DC-DC 转换器和其他需要高效功率控制的电子电路中。它的工作电压高达300V，使其适合于需要较高电压解决方案的各种场景。
2. 技术参数
- FET 类型: N 通道 MOSFET
- 漏源电压（Vds）: 300V，适合高电压应用
- 25°C 时连续漏极电流（Id）: 430mA，这一参数在大多数工业应用中可以保证器件的稳定工作。
- 驱动电压: 4.5V 至 10V，可以在不同的工作条件下灵活应用。
- 导通电阻（Rds(on)）: 在10V、300mA时，最大为4欧姆，这一较低的电阻值提高了电路的转换效率。
- 阈值电压（Vgs(th)）: 最大为3V @ 250µA，提供了一定程度的设计灵活性。
- 栅极电荷（Qg）: 最大值为4.8nC @ 10V，有助于降低开关损耗，提升频率响应。
- 最大 Vgs: ±20V，确保了在设计过程中不会因过压引发器件损毁。
- 输入电容 (Ciss): 最大值174pF @ 25V，适合高速开关应用。
- 功率耗散: 最大为360mW，适合低功耗应用。
- 工作温度范围: -55°C 至 150°C，适用于恶劣环境和高温应用。
- 封装类型: 表面贴装型（SOT-23），方便自动化焊接，提高了制造效率。
3. 应用场景
DMN30H4D1S-7 在多个领域有着广泛的应用，如：
- 电源管理: 广泛应用于开关电源、反激式变换器、高效率DC-DC变换器等领域。
- 家用电器: 可以在各类家用电器中作为开关元件，比如电机驱动、照明控制等。
- 工业应用: 在工业自动化、机器人、以及各种控制电路中作为开关用元件。
- LED 驱动: 该 MOSFET 可用于驱动高功率 LED，提供高效的电流控制。
4. 性能优势
- 高电压耐受性: 其高达300V的漏源电压承受能力，使得该 MOSFET 可以有效地面对高电压应用的挑战。
- 低导通电阻: 其相对低的 Rds(on) 值可以显著降低能量损耗，从而提高系统的整体效率。
- 宽温度范围: -55°C 至 150°C 的工作温度范围确保了在极端条件下的可靠性，适合军事、航空等高要求领域。
- 紧凑封装: SOT-23 表面贴装封装设计，适合于现代小型化电子设备的应用，节省电路板空间。
5. 结束语
总的来说，DMN30H4D1S-7 是一款多功能、可靠性高的 N 通道 MOSFET，其在电源管理、工业控制、LED 驱动等领域的广泛应用，使其成为设计人员的优先选择。在提高系统效率、降低功耗方面，DMN30H4D1S-7 的优越性能表现让其在众多市场中具有竞争力。通过合理配置及应用，可以充分发挥其在现代电子产品中的巨大潜力。