描述：场效应管(MOSFET) 83W；5.4W 40V 50A 1个N沟道 PowerPAK-SO-8
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商品单价
梯度内地(含税)
1+
7.7
100+
6.69
750+
6.08
1500+
5.85
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)50A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)2.8mΩ@10V
功率(Pd)5.4W
阈值电压(Vgs(th)@Id)1V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)38nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)4.75nF@20V
反向传输电容(Crss@Vds)275pF@20V
工作温度-55℃~+150℃
SIR414DP-T1-GE3 产品概述
概述
SIR414DP-T1-GE3是一款由VISHAY（威世）公司制造的高性能N通道MOSFET（场效应晶体管），采用PowerPAK® SO-8封装。该MOSFET具有优秀的电气性能，广泛应用于电源管理、DC-DC转换、马达驱动、以及其他需要高电流和高效率开关的电路中。
关键规格
- FET 类型：N通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）
- 漏源电压（Vdss）：40V
- 连续漏极电流 (Id)：50A（在Tc条件下）
- 驱动电压：4.5V（最大Rds On），10V（最小Rds On）
- 导通电阻（Rds On）：最大值为2.8毫欧 @ 20A，10V Vgs
- 阈值电压（Vgs(th)）：最大值为2.5V @ 250µA
- 栅极电荷（Qg）：最大值为117nC @ 10V
- 最大栅极源电压（Vgs(max)）：±20V
- 输入电容（Ciss）：最大值为4750pF @ 20V
- 功率耗散：最大值为5.4W（在环境温度Ta下），83W（在结温Tc下）
- 工作温度范围：-55°C ~ 150°C
- 安装类型：表面贴装型
- 封装类型：PowerPAK® SO-8
性能优势
SIR414DP-T1-GE3 MOSFET的设计优化了导通电阻和驱动电压之间的平衡，使得在进行高电流操作时能够实现更低的功耗和更高的效率。其最低的导通电阻（Rds On）使得器件在高负载下产生的热量降低，从而有效提升了系统整体的可靠性。
这款器件的工作温度范围广泛，适合于高温环境下的应用，这对许多工业和汽车电子设备尤为重要。同时，它的优越的功率耗散能力（83W在Tc下）确保了其在严苛环境下的高效稳定运行。
应用场景
SIR414DP-T1-GE3特别适用于要求高效率和高导通能力的应用，主要包括但不限于：
- 电源管理：用于DC-DC转换器、电源适配器等场合，帮助提高变换效率，降低能耗。
- 开关电源：广泛应用于各种开关电源中，适合高频开关操作。
- 马达驱动：可应用于电动机控制系统中，能有效控制电机的启动和停止。
- 消费电子：由于其低功耗特性，适合用于平板电脑、智能手机及其他便携式电子设备中。
结论
SIR414DP-T1-GE3作为一款高性能的N通道MOSFET，凭借其优秀的电气特性和可靠的热管理能力，成为现代电子设计中的理想选择。其广泛的应用领域和丰富的功能使得它在行业内得到了广泛的认可，是追求高效电源解决方案设计者的理想合作伙伴。无论是在高频开关电源、马达驱动还是其他应用中，该MOSFET都能提供持久和稳定的性能表现。