SIHG22N60E-GE3

产品概述：SIHG22N60E-GE3 N沟道MOSFET

概述

SIHG22N60E-GE3 是一款由威世（VISHAY）制造的高性能N沟道MOSFET器件，采用TO-247封装，具有极高的漏源电压（Vdss）达600V，能够支持在高电压环境下的广泛应用。此器件兼具高电流处理能力和优异的热管理性能，适用于各类电源管理和电动机驱动应用。

主要技术参数

• 类型: N沟道MOSFET
• 漏源电压（Vdss）: 600V，适合高压应用场合
• 持续漏极电流（Id）: 21A（在制冷条件下，Tc=25°C），能够满足大电流需求
• 最大Rds On: 180毫欧 @ 11A, 10V，这一特性在大电流下提供较低的导通损耗
• Vgs(th) 最大值: 4V @ 250µA，确保在合理的栅极驱动电压下进行稳定的开关操作
• 栅极电荷（Qg）: 86nC @ 10V，提供快速开关能力，减少开关损耗
• 最大Vgs: ±30V，确保在大部分控制电路中具备良好的兼容性
• 输入电容（Ciss）: 1920pF @ 100V，适合高频应用
• 功率耗散: 最大227W（Tc），具备优良的散热性能
• 工作温度范围: -55°C 到 150°C，适应各种环境条件
• 安装类型: 通孔，可方便地在多个电路板设计中使用
• 封装类型: TO-247-3，适合需要较大功率散热的场合

应用场合

SIHG22N60E-GE3 的设计使其非常适合作为电源管理、开关电源（SMPS）、直流-直流转换器（DC-DC/BUCK-BOOST）、电动机驱动以及电力逆变器等多种应用。在高压、高电流场合中，MOSFET的效率直接影响到整体系统的性能，SIHG22N60E-GE3 的低导通电阻和高功率处理能力使得这一器件在这些领域表现出色。

性能优势

1. 高效率: 低导通电阻Rds(on)和小的栅极电荷Qg显著降低了开关和导通损耗，提升了整体系统的能效。
2. 散热能力: 高功率耗散能力（227W）伴随优良的热管理设计，使其能够在严苛的工作环境中稳定运行。
3. 温度耐受性强: -55°C到150°C的工作温度范围使得该器件在极端环境下也能可靠工作，适合汽车、工业和民用电子等多种应用。

结论

SIHG22N60E-GE3 通过其出色的电气性能、宽泛的应用范围和高可靠性，成为了现代电子设计中不可或缺的元器件之一。对于需要高效率和高功率支持的电子设备，这款MOSFET无疑是理想的选择。无论是在电源转换器、工业设备，还是在可再生能源领域，SIHG22N60E-GE3 都能提供优异的性能表现，为设计师提供了可靠的解决方案。