描述：场效应管(MOSFET) 3W；140W 200V 17A 1个N沟道 DPAK
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商品单价
梯度内地(含税)
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4.41
100+
3.67
1000+
3.33
2000+
3.2
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)200V
连续漏极电流(Id)17A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)165mΩ@10V,10A
功率(Pd)140W
阈值电压(Vgs(th)@Id)5.5V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)41nC
输入电容(Ciss@Vds)910pF
反向传输电容(Crss@Vds)31pF
工作温度-55℃~+175℃
IRFR15N20DTRPBF 产品概述
一、产品简介
IRFR15N20DTRPBF 是一款高性能的 N 通道 MOSFET，由全球知名的半导体解决方案提供商英飞凌（Infineon）制造。其主要应用于各种高压、大电流的电子电路中，尤其适合于开关电源、直流-直流转换器、电机驱动及其他功率管理应用。该器件以 TO-252 封装形式提供，确保了良好的热管理和电气性能。
二、技术参数
漏源电压 (Vdss): 200V
- 该参数说明了 MOSFET 能够承受的最高漏极与源极之间的电压，非常适合用于高压应用。
连续漏极电流 (Id): 17A（在 Tc = 25°C 时）
- 这一参数表明，在特定的温度下，MOSFET 能够承载的连续电流，为设备提供了强大的驱动能力。
导通电阻 (Rds On): 165毫欧 @ 10A，10V
- 该数值在电流通过 MOSFET 时表明其内部电阻，数值越低意味着功率损耗越低，从而提高了效率。
门源阈值电压 (Vgs(th)): 5.5V @ 250µA
- 这个参数表示在特定的漏极电流下，门源电压开始导通的最小值，适用于设计电路以确保其正常工作。
栅极电荷 (Qg): 41nC @ 10V
- 该参数影响开关速度和驱动电路的设计，为高频应用提供了有效的参考。
输入电容 (Ciss): 910pF @ 25V
- 输入电容的值直接关系到驱动电路的功耗和开关速度，对于高性能应用来说至关重要。
功率耗散 (Pd): 3W（在 Ta 条件下），140W（在 Tc 条件下）
- 这两个数值表明在不同环境条件下 MOSFET 可以安全地散热的功率，确保稳定性和可靠性。
工作温度范围: -55°C ~ 175°C（TJ）
- 这款 MOSFET 具备宽工作温度范围，使其能够在极端环境下正常运行，适用于工业应用。
封装类型: TO-252AA (DPAK)
- DPAK 封装提供了良好的热导效果和足够的电流承载能力，适合于表面贴装技术（SMT）。
三、应用领域
IRFR15N20DTRPBF MOSFET 由于其优异的性能，被广泛应用于以下场景：
- 开关电源: 用于高效的电能转换与管理。
- 直流-直流转换器: 实现高效能量转换，减少能量损耗。
- 电机驱动: 驱动直流电机及步进电机，提供高功率驱动。
- 汽车电子: 用于汽车内各种功率管理和控制系统。
- 工业自动化: 在高压、高电流的工业应用中，提升设备的工作效率和安全性。
四、设计考虑
在应用 IRFR15N20DTRPBF 时，设计人员需考虑以下几个方面：
- 散热设计: 鉴于功率耗散和工作温度特性，应设计有效的散热措施以确保 MOSFET 长时间稳定运行。
- 驱动电路设计: 根据开关频率和电流需求设计合适的栅极驱动电路，以降低开关损耗。
- 电路保护: 在高压场景下，建议使用适当的保护电路以防止电压尖峰对 MOSFET 的损害。
结论
IRFR15N20DTRPBF N 通道 MOSFET 是一种兼具高效率和高可靠性的电源管理解决方案，非常适合需求高压和大电流的应用领域。凭借其优异的电气特性和广泛的应用潜力，该 MOSFET 能够帮助工程师和设计师构建出更具效率和性能的电源解决方案。