型号:

STF140N6F7

品牌:ST(意法半导体)
封装:TO-220FP-3
批次:-
包装:管装
重量:6.5g
其他:
STF140N6F7 产品实物图片
STF140N6F7 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 33W 60V 70A 1个N沟道 TO-220F-3
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最小包:1000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
3.3
1000+
3.16
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)70A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)3.5mΩ@10V,35A
功率(Pd)33W
阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA

STF140N6F7 产品概述

STF140N6F7 是由意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET(场效应管),广泛应用于各类高效能电源管理和开关电路中。该器件凭借其良好的电气性能和较高的工作温度,成为了工业、汽车和消费类电子产品中不可或缺的核心组件之一。

主要特性

  1. 电气参数

    • 漏源电压(Vdss):60V,这个电压等级使得 STF140N6F7 能够处理广泛的应用场景,尤其是在需要中等电压的系统中,能够保证其稳定性和安全性。
    • 连续漏极电流(Id):在额定的工作条件下,该器件可承受高达70A的连续电流,适合高负载应用。
    • 导通电阻(Rds(on)):在10V的栅极驱动电压下,导通电阻最大仅为3.5毫欧(在35A时),这大大减少了在运行过程中的功耗,同时提高了电路的整体效率。
  2. 栅极驱动特性

    • 栅极-源电压(Vgs):最高可达±20V,提供了灵活的驱动选项,使其易于与其他设备兼容。
    • 阈值电压(Vgs(th)):在250µA漏电流下,阈值电压最大为4V,适合低电压应用,确保在较低的驱动条件下即能迅速开启开关。
    • 栅极电荷(Qg):在10V的驱动级别下,栅极电荷最大为55nC,这意味着在高频应用时其开关损耗也相对较低,可以实现高效率。
  3. 热性能

    • 功率耗散:最大功率耗散可达33W,确保在高负载情况下不会过热。
    • 工作温度:该器件具有高达175°C的工作温度,适合在严苛环境下长期稳定运行,降低系统故障率。
  4. 封装

    • 安装类型:通孔安装形式,便于在各种电路板上进行设计和应用。
    • 封装规格:采用TO-220FP封装,这一设计使得器件在散热方面表现优秀,有助于增强整体的温升控制。

应用领域

STF140N6F7 适用于多种应用,包括但不限于:

  • 电源转换:用于开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器等高效电源设计。
  • 电机驱动:尤其适合在高功率电机驱动中作为开关器件,能够提高电机的驱动效率。
  • 汽车电子:可用于车辆中的各种功率管理和控制线路,如电池管理系统、电源分配网络等。
  • LED 照明:在LED驱动电路中,MOSFET可用于调节亮度和控制电源。

结论

STF140N6F7 是一款极具竞争力的 N 沟道 MOSFET,凭借其高电流处理能力、低导通电阻和出色的热性能,能够满足现代电源管理和开关应用日益增长的需求。无论是在工业、消费类电子还是汽车电子领域,STF140N6F7 都可以作为理想的选择,以实现高效、可靠的系统设计。通过合理的系统设计和使用,STF140N6F7 很可能成为未来电源设计中的核心元件之一。