型号:

STP20N65M5

品牌:ST(意法半导体)
封装:TO-220-3
批次:-
包装:编带
重量:-
其他:
STP20N65M5 产品实物图片
STP20N65M5 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 130W 650V 18A 1个N沟道 TO-220
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最小包:1000
商品单价
梯度内地(含税)
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7.96
1000+
7.68
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)18A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)190mΩ@9A,10V
功率(Pd)130W
阈值电压(Vgs(th)@Id)5V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)45nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)1.345nF@100V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

STP20N65M5 产品概述

STP20N65M5 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)制造的高性能 N 通道 MOSFET,具备出色的电气特性和热管理能力,广泛应用于高压电源、开关电源和其他功率转换器件中。其主要参数包括高达 650V 的漏源电压(Vdss),连续漏极电流(Id)可达 18A,功率耗散能力达到 130W,这使得该器件在高压应用中表现优异。

关键特性与性能

  1. 高电压承受能力:STP20N65M5 的最大漏源电压为 650V,适用于需要高额定电压的应用,如太阳能逆变器、工业电源和电动汽车等领域。

  2. 导通电阻:在 10V 的栅极驱动电压下,当漏极电流为 9A 时,器件的导通电阻(Rds(on))最大值为 190毫欧。这一特性确保了在工作过程中可实现更低的能量损失和更高的效率,尤其适合频繁开关的场合。

  3. 高温耐受性:该器件的工作温度范围为 -55°C 至 150°C,确保了在严苛环境下的稳定性和可靠性。我能耐受高温的特点非常适合于要求严格的工业应用。

  4. 低栅极电荷:STP20N65M5 的最大栅极电荷(Qg)为 45nC,这允许在较低的驱动功率下实现快速开关,减少开关损耗,提升系统效率。这使得它在高频开关应用中特别受欢迎,例如DC-DC 转换器和高效功率放大器。

  5. 优良的输入电容:最大输入电容(Ciss)为 1345pF @ 100V,使得在实现高速度开关时,可以降低触发延迟,提高开关效率。

  6. 封装设计:STP20N65M5 采用 TO-220-3 封装,提供优良的散热性能,适合于高功率应用。这种封装设计同时也便于安装与维护,适合多种电路布局。

应用领域

由于其卓越的电气参数及热特性,STP20N65M5 适用于多种行业的高性能应用,包括但不限于:

  • 开关电源:用于各种电源转换电路,如 AC-DC 转换器和 DC-DC 转换器。
  • 电动汽车:在电机驱动和动力管理系统中,支持电源的高效转换与控制。
  • 工业自动化:可用于伺服电机驱动器、PLC 电源等工业控制设备中。
  • 太阳能逆变器:在绿色能源应用中,实现可再生能源的高效转换。

总结

STP20N65M5 是一款高效、高压、高功率的 N 通道 MOSFET,凭借其优良的导通电阻,强大的电流承受能力和宽广的工作温度范围,使其成为现代电力电子设计中不可或缺的元器件。无论是工业应用还是消费电子,它的多样性和高效性都为系统的整体性能提供了极大的提升。同时,其 TO-220 封装设计也为设备的散热和安装提供了极大的便利,是商业和工程领域中的理想选择。