型号:

AON7292

品牌:AOS
封装:8-DFN-EP(3.3x3.3)
批次:22+
包装:编带
重量:-
其他:
AON7292 产品实物图片
AON7292 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 4.1W;28W 100V 9A;23A 1个N沟道 DFN-8-EP(3.3x3.3)
库存数量
库存:
1972
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
2.58
100+
2.06
750+
1.84
1500+
1.74
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)23A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)32mΩ@4.5V,7A
功率(Pd)28W
阈值电压(Vgs(th)@Id)2.6V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)15nC@4.5V
输入电容(Ciss@Vds)1.17nF@50V
反向传输电容(Crss@Vds)8pF@50V
工作温度-55℃~+150℃

AON7292 MOSFET 产品概述

产品简介

AON7292 是一款高性能 N 通道金属氧化物场效应管(MOSFET),设计用于多种电子电路应用。这款产品专为需要高效率和高可靠性的场合而设计,具备极低的导通电阻和高功率处理能力。

基础参数

AON7292 的主要电气参数包括:

  • 导通电阻 (Rds(on)):在 Vgs 为 10V 和 Id 为 9A 时,最大导通电阻值为 24 毫欧。这一特性确保在正常操作条件下,器件能够有效减少电能损耗和发热。
  • 漏极电流 (Id):在环境温度 Ta 下,AON7292 能够承受最高 9A 的连续漏极电流,而在更高的散热条件下(Tc),该值可达到 23A。这一参数使其特别适合于需要高电流输出的应用场景。
  • 漏源电压 (Vdss):AON7292 的最大漏源电压为 100V,使得它能够承受高电压工作环境而不发生击穿。

关键性能

  • 输入电容 (Ciss):在 Vds 为 50V 时,AON7292 的最大输入电容为 1170pF。这一特性使得在高速开关应用中,其驱动损耗最低。
  • 栅极电荷 (Qg):在 Vgs 为 10V 时,栅极电荷最大值为 25nC。较低的栅极电荷意味着在驱动电路中需要的功率较小,从而进一步提高了整体系统的效率。
  • 栅源电压 (Vgs):器件支持最大 ±20V 的栅源电压,提供了更大的设计灵活性,可适用于多种电路配置。

工作温度范围

AON7292 的工作温度范围为 -55°C 至 150°C,具有优异的热稳定性。该特性使其能够在极端环境下(如高温或低温应用)良好运行,非常适合军事、航空航天和工业控制系统等应用。

应用场景

AON7292 适用于各种需要高性能 MOSFET 的应用场景:

  1. DC-DC 转换器:能提供高效的开关性能,适合于现代开关电源的设计。
  2. 电池管理系统:高效的特性使得其成为电动汽车和可再生能源系统中电池管理的理想选择。
  3. 电机驱动:可用于驱动直流和步进电机的高效开关电路。
  4. LED 驱动:适合高效能 LED 照明系统的驱动应用。

封装和安装

AON7292 采用 8-DFN-EP(3.3x3.3 mm)封装形式,具有出色的散热性能和小型化特点。表面贴装型设计使其便于集成到各种电路板中,大大提升了设计的灵活性和可制造性。

总结

AON7292 是一款设计优良的 N 通道 MOSFET,凭借其低导通电阻、宽工作温度范围和高电流及电压承受能力,非常适合用于高效能、要求可靠性的电子应用。无论是在电源管理、工业设备还是消费电子中,AON7292 都能为设计者带来出色的系统性能和高性价比,是现代电子设计中的优秀选择。