描述：场效应管(MOSFET) 6.2W 700V 4A 1个N沟道 SOT-223-3
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梯度内地(含税)
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1.72
100+
1.38
750+
1.23
1500+
1.16
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)700V
连续漏极电流(Id)2.5A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)1.4Ω@10V,0.7A
功率(Pd)6.2W
阈值电压(Vgs(th)@Id)3V@0.04mA
栅极电荷(Qg@Vgs)4.7nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)158pF@400V
反向传输电容(Crss@Vds)3pF@400V
工作温度-40℃~+150℃
IPN70R1K4P7S 产品概述
一、产品概述
IPN70R1K4P7S 是一款由英飞凌（Infineon）制造的N沟道增强型场效应管（MOSFET），其设计工作电压可达700V，最大持续电流为4A。该器件采用PG-SOT223封装类型，具有优良的热性能和电气特性，适用于高效率开关电源、DC-DC转换器、辅助电源和各类高电压电流控制应用。
二、技术参数
绝对最大额定值
- Vds（漏源电压）：700V
- Id（漏电流）：4A
- Pd（功耗）：6.2W
- Tj（结温范围）：-55℃至+150℃
电气特性
- Rds(on)（导通电阻）：非常低，通常在额定电压下提供优良的导通性能，降低了功率损耗和发热。
- Qg（总门电荷）：具备较低的驱动电压，适合快速开关用途。
封装信息
- 封装类型：PG-SOT223
- 尺寸：SOT-223 封装小巧，便于在空间受限的电路中应用。
三、应用场景
开关电源（SMPS）
- IPN70R1K4P7S 可用于各种开关电源设计，包括AC-DC和DC-DC转换器。其高压额定值和良好的电气特性使其适合在输出级进行高效切换。
电机驱动
- 该MOSFET可用于驱动各类电机，尤其在需要调速和控制电机转矩的场合。它的高电流处理能力保证了驱动过程中的可靠性。
直流电源管理
- 可用于电源适配器、充电器，尤其是需要高电压和高效率的应用中。
LED驱动
- 由于其快速开关特性，IPN70R1K4P7S 可以在LED驱动电路中实现高效控制，对延长LED寿命和提升光效有积极影响。
四、性能优势
高电压处理能力：支持高达700V的工作电压，确保能够满足大多数工业和消费类应用中的高电压需求。
低导通电阻：有效降低打开状态下的功耗，有助于改善整体能效表现。
良好的热处理性能：PG-SOT223 封装提供优良的散热效果，适合各种温度环境下可靠工作，增强了器件长期运行的稳定性。
快速开关速度：适应快速脉冲工作，适合开关频率较高的应用，减小成品体积和降低损耗。
五、结论
IPN70R1K4P7S 是一款为高电压应用设计的高性能N沟道MOSFET，提供了出色的电气性能，不仅具有高工作电压和低导通电阻的优势，还在多种应用中展现了稳定的可靠性。凭借其良好的热管理能力和快速开关特性，该MOSFET 特别适用于需要高效能电源转换和电流控制的应用，如开关电源、电机驱动和LED驱动系统。选择IPN70R1K4P7S，可为您的设计提供强大的性能和优越的应用支持。