型号:

STP15N80K5

品牌:ST(意法半导体)
封装:TO-220-3
批次:20+
包装:管装
重量:-
其他:
STP15N80K5 产品实物图片
STP15N80K5 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 190W 800V 14A 1个N沟道 TO-220
库存数量
库存:
227
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:1000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
9.67
100+
8.19
1000+
7.91
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)800V
连续漏极电流(Id)14A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)375mΩ@10V,7A
功率(Pd)190W
阈值电压(Vgs(th)@Id)3V@100uA
栅极电荷(Qg@Vgs)32nC@640V
输入电容(Ciss@Vds)1.1nF@100V
反向传输电容(Crss@Vds)1.5pF@100V
工作温度-55℃~+150℃

STP15N80K5 产品概述

概述

STP15N80K5 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的 N 通道 MOSFET,其为现代电子电路设计提供了可靠的功率管理解决方案。该元器件具备出色的电气性能,特定应用中可实现高效能和高可靠性,是在电源转换、开关电源、逆变器及电机驱动等领域的理想选择。

技术规格

STP15N80K5 的关键电气参数包括:

  • 漏源电压 (Vdss): 该 MOSFET 的最大漏源电压为800V,能满足高电压应用的需求。
  • 连续漏极电流 (Id): 在25°C的环境温度下,支持高达14A的持续电流,可以处理大量的功率负载,适合各类工业及家电应用。
  • 驱动电压: 驱动电压要求最低为10V,这是保证 MOSFET 正常导通的关键参数。
  • 导通电阻 (Rds(on)): 在10V栅电压下,当漏极电流为7A时,导通电阻最大值为375毫欧,这个低导通电阻为降低功耗和提升效率提供了保障。
  • Vgs(th): 最大栅源阈值电压为5V(@100µA),确保了开关的灵敏度和快速反应能力。
  • 输入电容 (Ciss): 在100V条件下,输入电容最大为1100pF,使得其在高频开关应用中表现良好。
  • 栅极电荷 (Qg): 最大栅极电荷为32nC(@10V),这表明较低的开关损耗,有利于快速切换和高频驱动的要求。
  • 工作温度范围: 工作温度范围为-55°C至150°C,极高的温度耐受性使得 STP15N80K5 可在苛刻环境中稳定工作。
  • 功率耗散: 最大功率耗散为190W(在Tc条件下),确保在高负载下也能安全运行。

封装与安装

STP15N80K5 采用TO-220封装,这种封装形式不仅便于通孔安装,还提供了良好的散热性能。TO-220 封装内置散热片,可直接与散热器接触,有助于元器件在高负载和高温环境下的稳态操作,确保效率最大化和器件寿命延长。

应用场景

由于其高耐压、高电流承载能力及优异的热管理性能,STP15N80K5 在众多应用中展示了广泛的适用性,具体应用包括:

  1. 开关电源 (SMPS): 用于高效能源转换,提升整体系统的效率。
  2. 逆变器: 在可再生能源及电力转换系统中提供优质的解决方案,能够处理较高的功率条件。
  3. 电机驱动控制: 在电动机控制和驱动电路中,能够有效地实现电机的开关操作。
  4. LED照明驱动: 提供高效的兼容性,适用于各种LED驱动应用。
  5. 家电: 在洗衣机、空调和其他家用电器中用于控制和转换电源。

优势

STP15N80K5 作为意法半导体的高品质产品,结合了高电压承受能力、低导通电阻和高电流承载能力,其性能指标使其在功率开关和转换应用中极具竞争力,特别是在需要高效率和高性能的环境下。

结论

STP15N80K5 N 通道 MOSFET 在电力电子领域提供了兼具性能与耐用性的解决方案。凭借其强大的参数特性和广泛的应用场景,STP15N80K5 无疑是提升电子设计可靠性和效率的一个出色选择。对于设计师和工程师而言,选择 STP15N80K5 将为其项目赋予更强的性能和稳定性。