DMN3730UFB4-7B

DMN3730UFB4-7B MOSFET 产品概述

产品简介

DMN3730UFB4-7B 是一款高性能的 N 通道 MOSFET（场效应晶体管），由 DIODES（美台）公司制造，专为中等功率应用设计。该器件具有最大漏源电压（Vdss）为 30V，以及连续漏极电流（Id）可达 750mA，满足多种电子电路的需求。凭借其优良的电气特性和小巧的 X2-DFN1006-3 封装，本产品在消费电子、汽车电子及工业控制等领域广泛应用。

主要特点

1. 电气性能：

   • 漏源电压（Vdss）：最大可承受 30V 的高电压，适合多种中压应用；
   • 连续漏极电流（Id）：在 25°C 的环境温度下，提供高达 750mA 的持续电流，保证了器件在较高负载下的可靠性；
   • 脉冲电流（Idm）：最大脉冲电流可达到 3A，为瞬态响应提供了更大的裕度；
   • 功率耗散：在环境温度下，器件的最大功耗为 470mW，确保在设计中不会因过热而导致器件失效。

2. 导通阻抗：

   • 本产品在 4.5V 的驱动电压下，达到最大导通电阻 Rds(on) 的值仅为 460毫欧（200mA 电流下），有效降低了导通损耗，使得高效率在实际应用中具备可能。

3. 栅极电压和输入特性：

   • 驱动电压范围广，支持最低 1.8V 时的导通，使其能够与低压逻辑电平兼容；
   • 栅极-源极阈值电压（Vgs(th)）最大值为 950mV，在 250µA 条件下实现导通，确保灵敏度高，响应迅速；
   • 输入电容（Ciss）最大值为 64.3pF，表现出良好的高频特性，适用于快速开关应用。

4. 工作温度范围：

   • 产品可在 -55°C 至 150°C 的宽广温度范围内稳定工作，特别适用于高温环境及特殊行业（如航空航天和汽车领域）。

5. 封装形式：

   • 采用表面贴装型的 X2-DFN1006-3 封装，体积小、焊接性能良好，适用于高密度电路板设计。

应用场合

DMN3730UFB4-7B 的设计使其适用于广泛的应用领域：

• 消费电子：如手机、平板电脑、笔记本电脑的供电管理；
• 汽车电子：电动窗、座椅调节系统及其他电动控制模块；
• 工业控制：用于各种工业设备的开关控制及功率放大；
• LED 驱动：在 LED 照明应用中提供稳定的驱动电流。

结论

DMN3730UFB4-7B MOSFET 以其优良的电气特性、高度集成以及宽广的工作温度范围，为工程师提供了卓越的解决方案，确保在严格条件下的可靠工作。无论是用于开关电源还是在功率管理应用中，这款 MOSFET 都能显著提升系统的整体性能和效率。选择 DMN3730UFB4-7B，将是实现高效、电性稳定设计的明智之选。