IS61WV204816BLL-10TLI

产品概述：IS61WV204816BLL-10TLI

IS61WV204816BLL-10TLI是一款由美国ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc.）生产的高性能异步静态随机存取存储器（SRAM）。该存储器采用48-TFSOP封装，以其出色的性能和效率，在多种电子应用中表现卓越。

1. 基本参数

• 存储器类型：易失性
• 存储器格式：SRAM（静态随机存取存储器）
• 存储容量：32Mb（2M x 16位）
• 接口类型：并行接口
• 访问时间：极快的10ns
• 写周期时间：同样为10ns
• 供电电压范围：2.4V ~ 3.6V
• 工作温度范围：-40°C ~ 85°C（适用于工业级和广泛的温度环境）
• 安装类型：表面贴装型（SMD）
• 封装类型：48-TSOP I，封装尺寸为0.724" x 18.40mm

2. 性能特点

IS61WV204816BLL-10TLI具有低功耗和高速度的优势，使其在一些要求严格的应用条件下能够提供稳定的性能表现。它的10ns的读取和写入周期使得在高速数据处理的场合中，存储器的反应可谓迅速合理，减少数据延迟。

此外，SRAM是一种采用静态逻辑的存储器，因此它在读取和写入操作中不需要刷新，这意味着在存储数据时没有额外的能量损失，这对于电池供电的设备尤为重要。

3. 应用场景

IS61WV204816BLL-10TLI由于其低功耗、高速与宽温工作范围，适用于多种领域，包括：

• 嵌入式系统：在需要频繁读写操作的嵌入式应用中，SRAM可以作为数据缓存，提供高效的数据存取路线。
• 通信设备：尤其在网络交换机和路由器中，这款SRAM能够支持高速数据包的处理。
• 工业控制：在工业自动化设备中，IS61WV204816BLL-10TLI能在恶劣环境下稳定工作，确保系统的可靠性和数据的持久性。
• 消费电子：如高清摄像机、打印机等，以其快速的反应时间和稳定性，满足多种功能需求。

4. 关键优势

• 高性能：快速的访问时间和写入周期，适合高速应用。
• 广泛的工作温度范围：能够在-40°C至85°C的环境温度下正常工作，适合各种工业应用。
• 低功耗设计：适合电池供电的设备，通过优化存储器能效，延长设备运行时间。
• 可靠性：采用高品质制造工艺，确保长期使用下的稳定性和耐久性。

5. 总结

IS61WV204816BLL-10TLI以其高性能、低功耗和宽工作温度范围，成为需求高速且可靠存储解决方案的理想选择。无论是在消费电子、工业控制还是高速通信设备中，它都能够提供卓越的存储性能，为设计师和系统集成商提供强有力的支持。正因如此，IS61WV204816BLL-10TLI在市场上广受欢迎，是各种高端电子产品中不可或缺的重要组件之一。