型号:

IRFP4332PBF

品牌:Infineon(英飞凌)
封装:TO-247AC
批次:-
包装:管装
重量:7.13g
其他:
IRFP4332PBF 产品实物图片
IRFP4332PBF 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 360W 250V 57A 1个N沟道 TO-247-3
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最小包:400
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梯度内地(含税)
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16.29
400+
15.82
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)250V
连续漏极电流(Id)57A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)29mΩ@10V,35A
功率(Pd)360W
阈值电压(Vgs(th)@Id)3V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)150nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)5.86nF
反向传输电容(Crss@Vds)130pF
工作温度-40℃~+175℃

IRFP4332PBF 产品概述

一、基本信息概述

IRFP4332PBF 是由英飞凌科技(Infineon Technologies)生产的一款高性能N沟道金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)。它属于HEXFET®系列,具有极佳的电流承载能力和低导通电阻,专为高功率应用而设计。该型号采用TO-247AC封装,适合于高功率和高频率的电源转换和电子开关应用。

二、关键特性

  1. 高电流承载能力:

    • 该MOSFET在25°C的环境温度下,连续漏极电流(Id)可达到57A(Tc),使其在大电流应用中表现出色。
  2. 较低的导通电阻:

    • 在10V的栅极驱动电压下,该器件的导通电阻最大值为33毫欧(@ 35A)。较低的导通电阻有助于降低功耗,提高效率,尤其在开关电源和电动机驱动电路中尤为重要。
  3. 高漏源电压:

    • 漏源电压(Vdss)最高可达250V,能够满足多个中高电压应用的需求。
  4. 宽工作温度范围:

    • IRFP4332PBF可在-40°C至175°C的宽温度范围内稳定工作,确保其能在严酷的环境中持续可靠地运行。此外,这一特性使得该器件在汽车电子和工业设备中尤为受欢迎。
  5. 优异的开关性能:

    • 该MOSFET在10V栅极电压下的栅极电荷(Qg)最大为150nC,并且在25V时输入电容(Ciss)最大为5860pF。这些参数指示它具备较快的开关速度,适用于高频应用。
  6. 高功耗处理能力:

    • 最大功率耗散(Pd)可达360W(Tc),使其适合于高功率需求的应用场合,降低了过热造成的损坏风险。

三、应用领域

IRFP4332PBF的高度性能使其在多个领域得到了广泛应用,包括:

  • DC-DC转换器: 在现代电源管理系统中起着至关重要的作用,能够高效地将电能从一个电压级别转换到另一个电压级别。
  • 电动机驱动器: 可用于各种电动机的驱动电路,提供高效的电能转换,延长电机寿命,并减少能耗。
  • 逆变器和转换器: 在风能、太阳能等可再生能源领域中,IRFP4332PBF被广泛应用于逆变器,帮助将直流电转换为交流电。
  • 汽车电子: 由于其卓越的温度特性和高电流能力,该MOSFET适用于蓄电池管理系统、电动汽车驱动及其他车载电子设备。

四、总结

IRFP4332PBF是一个强大的N沟道MOSFET,结合了高电流承载能力、低导通电阻和出色的热性能,极大地适应了当前对高效能源管理和功率转换设备的需求。该器件的优异特性不仅提升了电源转换系统的效率,同时在高频应用中也展现出卓越的表现。基于这些特点,工程师在设计各种高性能电子应用时,选择IRFP4332PBF将是一个明智的决策。