型号:

AO6409A

品牌:AOS
封装:6-TSOP
批次:-
包装:编带
重量:-
其他:
AO6409A 产品实物图片
AO6409A 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 2.1W 20V 5.5A 1个P沟道 TSOP-6
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产品参数
属性参数值
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)5.5A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)41mΩ@5.5A,4.5V
功率(Pd)2.1W
阈值电压(Vgs(th)@Id)900mV@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)11nC@4.5V
输入电容(Ciss@Vds)905pF@10V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

AO6409A 产品概述

AO6409A 是一款高性能的 P 型 MOSFET,主要应用于圆形和线性电源,以及其他需要高效开关功能的电子电路中。该元件采用表面贴装封装(TSOP-6),具备出色的热管理和尺寸优势,适合于空间受限的电路设计。本文将详细介绍其主要参数、性能以及应用场景。

1. 基本参数与技术特性

  • 安装类型: AO6409A 采用表面贴装型(SMD/SMT)封装,便于自动化生产以及紧凑电路板设计。
  • 导通电阻 (Rds(on)): 在特定条件下(Id = 5.5A,同时 Vgs = 4.5V),该 MOSFET 的最大导通电阻为 41 毫欧,这意味着在导通状态下的能量损失较小,有助于提高整个电路的效率。
  • 驱动电压: 该组件支持的驱动电压范围为 1.8V 至 4.5V,证明了其在低电压驱动条件下的良好表现,这对于移动设备及低功耗应用尤为重要。
  • 连续漏极电流 (Id): AO6409A 在环境温度为 25°C 时能够支持最高 5.5A 的连续漏极电流,适用于中等功率的电源管理和负载驱动应用。
  • 漏源电压 (Vdss): 最大漏源电压为 20V,使其能够处理较高的电压环境,适合一些电源转换器和开关电源的设计需求。
  • 工作温度范围: AO6409A 的工作温度范围为 -55°C 至 150°C,保证了其在极端温度条件下的稳定性和可靠性,适合军用、汽车及工业应用。

2. 电容与电荷特性

  • 输入电容 (Ciss): 在 Vds 为 10V 的情况下,最大输入电容为 905pF,表明其高频性能良好,可以在高频开关应用中保持较低的功耗和较快的响应速度。
  • 栅极电荷 (Qg): 最大栅极电荷为 11nC (在 Vgs = 4.5V 时),这一特性使得 MOSFET 的开关速度快,能够在快速切换的应用中,提高整体系统的效能。

3. 应用场景

AO6409A MOSFET 适用于多种应用,主要包括但不限于:

  • 电源管理: 由于其低导通电阻和高电流承载能力,该 MOSFET 适合用于开关电源(SMPS)和直流至直流转换器(DC-DC converters),从而减少能量损失,提高电源转换效率。
  • 负载开关: 在需要进行负载控制的电路中,AO6409A 可作为负载开关使用,例如在电池供电的设备中,通过其高效开关切换可以延长设备的工作时间。
  • 电机驱动: 该器件适合用于小型电机驱动的控制电路,能够应对迅速变化的电流需求和温度波动。
  • 汽车电子及工业控制: 由于其宽广的工作温度和高可靠性,该 MOSFET 也适合用于汽车内部的电源管理、信号处理电路以及各种工业控制领域。

4. 结论

AO6409A 是一款性能卓越的 P 通道 MOSFET,结合其优异的电气参数和宽广的应用范围,使其在电子设计中成为理想的选择。无论是在消费类电子产品,还是在工业和汽车应用中,AO6409A 都能提供极佳的能耗控制和高效的开关能力。随着电子技术的发展,AO6409A 的应用必将更为广泛,能够满足现代机电系统对高效、低功耗解决方案的需求。