型号:

DTC043TUBTL

品牌:ROHM(罗姆)
封装:UMT3F
批次:21+
包装:编带
重量:-
其他:
DTC043TUBTL 产品实物图片
DTC043TUBTL 一小时发货
描述:数字晶体管 200mW 50V 100mA 1个NPN-预偏置 UMT3F
库存数量
库存:
800
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.426
200+
0.142
1500+
0.0888
3000+
0.0705
产品参数
属性参数值
晶体管类型1个NPN-预偏置
集射极击穿电压(Vceo)50V
集电极电流(Ic)100mA
功率(Pd)200mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)100@5mA,10V

DTC043TUBTL 产品概述

产品型号:DTC043TUBTL
品牌:ROHM (罗姆)
封装类型:UMT3F
类型:数字晶体管,NPN预偏置

一、产品背景

DTC043TUBTL 是一款来自知名半导体制造商 ROHM 的数字晶体管,专为低功耗、高效率的电子应用而设计。作为一个 NPN 类型的预偏置晶体管,它提供了一种可靠的解决方案来处理各种电流控制场景。其在数字电路和模拟电路中的应用广泛,特别适用于开关控制、信号放大及小功率驱动等领域。该产品的性能参数使其特别适合用于高频应用,如无线通信和现代电子设备。

二、技术规格

  1. 电流 - 集电极 (Ic):最大值为 100mA,这使得 DTC043TUBTL 能够有效地驱动各种负载。

  2. 电压 - 集射极击穿 (Vce):最大值为 50V,这为设备的耐压能力提供了额外的安全余地,适合多种工作环境。

  3. 电阻器 - 基极 (R1):4.7 kOhms,适合于保证合理的基极驱动和控制电流,能够进行有效的信号放大。

  4. 直流电流增益 (hFE):在5mA和10V条件下,最小值为100,这是保证晶体管在正常工作条件下能够提供足够增益的关键参数。

  5. Vce 饱和压降:最大值为 150mV(条件:500µA,5mA),这确保了在开关状态下的功耗得以控制,提高了整体效率。

  6. 电流 - 集电极截止 (ICBO):最大值为 500nA,确保晶体管在OFF状态时的漏电流极低,提升电路的可靠性。

  7. 频率 - 跃迁:250MHz,支持高频应用的处理,适合现代高速数字电路的需求。

  8. 功率 - 最大值:200mW,为小型应用提供了良好的功率管理解决方案。

  9. 安装类型:表面贴装型(SMD),便于在现代电子设备的生产过程中节省空间。

  10. 供应商器件封装:UMT3F,紧凑的封装设计适合自动化贴片工艺,提高装配效率。

三、应用领域

DTC043TUBTL 的多项特性使其在多个领域有着广泛的应用:

  1. 消费电子:用于各种家用电器、音频设备和视频设备中,作为开关和信号调节的元件。

  2. 计算机及外围设备:在计算机中可以作为电源开关和集成电路中其他信号的开关。

  3. 无线通信:由于其高频特性,DTC043TUBTL 适合用在无线发射和接收设备中。

  4. 汽车电子:可用于汽车的控制系统中,帮助改善能效和系统可靠性。

  5. 工业控制:在工业设备中,通常用于驱动继电器、马达以及其他负载。

四、总结

DTC043TUBTL 是一款性价比极高的数字晶体管,结合了可靠的电气性能和广泛的应用范围。无论是用于设计新型电子设备,还是替换现有电路中的元件,DTC043TUBTL 都能提供出色的可靠性和效率。凭借其紧凑的封装、优异的电流增益和低饱和压降,DTC043TUBTL 是工程师在高性能、低功耗电子产品设计中的理想选择。通过选用 ROHM 的这款晶体管,可以大幅度提升产品的整体性能,同时确保符合现代市场对小型化和高效能的要求。