型号:

SIA447DJ-T4-GE3

品牌:VISHAY(威世)
封装:SC-70-6
批次:21+
包装:编带
重量:-
其他:
-
SIA447DJ-T4-GE3 产品实物图片
SIA447DJ-T4-GE3 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) SIA447DJ-T4-GE3 SOT-23
库存数量
库存:
0
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
1.02
200+
0.782
1500+
0.68
产品参数

SIA447DJ-T4-GE3 产品概述

品牌与封装

SIA447DJ-T4-GE3 是由 VISHAY(威世)公司生产的一款小型N沟道场效应晶体管(MOSFET),采用 SC-70-6 封装。此封装类型以其紧凑的结构和高效的热性能著称,适用于空间有限的应用环境,如移动设备和便携式电子设备。

产品特点

  1. 高效能: SIA447DJ-T4-GE3 设计上具备较低的导通电阻(R_DS(on)),使其在开关和放大电路中表现出色。这种低导通电阻不仅提高了功率转换效率,还减少了功耗,从而延长了设备的电池寿命。

  2. 快速开关速度: 该MOSFET具有出色的开关特性,能够快速响应输入信号,适合应用于开关电源、提升转换器和降压转换器,这些应用通常要求快速且高效的开关操作。

  3. 高电流承载能力: SIA447DJ-T4-GE3 能够处理并承受较高的电流,满足多种负载的需求,这对于电源管理及驱动电路特别重要。

  4. 低输入电压: 销售数据时,该 MOSFET 的输入电压阈值较低,适合低电压系统的使用,能够与不同数字电路平台(如微控制器和DSP)兼容。

  5. 环境友好: SIA447DJ-T4-GE3遵循RoHS标准,符合环保要求,适合各类现代电子设备的设计和生产。

主要参数

  • 封装类型: SC-70-6
  • 导通电阻(R_DS(on)): 通常≤ 0.025 ohm,具体值根据实际条件
  • 漏极电流(I_D): 可达5A(在适当的散热条件下)
  • 漏源电压(V_DS): 高达 30V,适用于多数低压应用
  • 门极电压(V_GS): ±20V的 gate-to-source 电压提供了灵活的驱动选项

应用领域

SIA447DJ-T4-GE3 广泛应用于多种电子设备中,包括但不限于:

  • 开关电源: 提供高效率的电源转换解决方案。
  • LED 驱动: 适合 LED 照明及驱动电路,确保均匀而稳定的电流供应。
  • 电池管理系统: 在各种移动设备和便携式电子产品中,对电池充放电进行有效管理。
  • 汽车电子: 在汽车电源管理、信号处理以及驱动电路中发挥重要作用。
  • 便携式设备: 由于其小巧的封装,完美适应智能手机、平板电脑和其他便携式设备的空间限制。

总结

SIA447DJ-T4-GE3 是一款功能强大而高效的小型 N 沟道 MOSFET,凭借其出色的电气性能和可靠性,成为各类电子产品中的理想选择。其较低的导通电阻和快速开关速度使得其在能源管理和功率应用中具有显著优势。VISHAY 的这一产品将为设计工程师提供更多创新和优化设计的可能性,适应快速发展的新技术应用。