型号:

SI1034CX-T1-GE3

品牌:VISHAY(威世)
封装:SC-89-6
批次:23+
包装:编带
重量:0.12g
其他:
SI1034CX-T1-GE3 产品实物图片
SI1034CX-T1-GE3 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 220mW 20V 610mA 2个N沟道 SC-89-6
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最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.733
200+
0.505
1500+
0.46
产品参数
属性参数值
类型2个N沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)610mA
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)396mΩ@4.5V,0.5A
功率(Pd)220mW
阈值电压(Vgs(th)@Id)1V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)1.3nC@4.5V
输入电容(Ciss@Vds)43pF@10V
反向传输电容(Crss@Vds)8pF@10V
工作温度-55℃~+150℃

产品概述:SI1034CX-T1-GE3

一、产品简介

SI1034CX-T1-GE3 是由威世(VISHAY)公司制造的一款高性能 N-通道场效应管(MOSFET),旨在满足各种电子应用需求。其独特的电气特性和优越的热性能使其成为功率管理、开关电源和逻辑电平驱动电路的理想选择。

二、产品特性

  1. 双 N-沟道设计: SI1034CX-T1-GE3 采用双 N-通道结构,使得设备在处理更高的电流和更快的开关速度时表现出色。这种设计在应用中能够有效减少导体损耗,提升整体系统的效率。

  2. 逻辑电平门: 该 MOSFET 具有逻辑电平驱动能力,可直接与微控制器或逻辑电路相连接,使电路设计变得更加简单和高效。其低栅极驱动电压使其适合于低功耗的应用场景,从而提高了系统的整体性能。

  3. 优异的电流承载能力: 在25°C的环境下,SI1034CX-T1-GE3 可以提供高达610mA的连续漏极电流,表现出色的电流承载能力满足了大多数沉重负载的需求。

  4. 高耐压能力: 最大漏源电压为20V,为多种应用提供了足够的安全裕度,适用于 12V 系统和更高电压的应用环境。

  5. 低导通电阻和栅极电荷: 在500mA和4.5V条件下,导通电阻的最大值为396毫欧,显著降低了导通损耗。同时,栅极电荷(Qg)的最大值为2nC,提高了开关速度并降低了耗电。

  6. 广泛的工作温度范围: SI1034CX-T1-GE3 可在-55°C至150°C的环境温度下稳定工作,使其在极端温度条件下依然可靠,适合于汽车、军用和工业设备等苛刻环境。

  7. 表面贴装型封装: 采用SC-89-6封装,表面贴装型设计提升了焊接便捷性,适合于高密度电路板设计。

三、应用场景

SI1034CX-T1-GE3 适用于广泛的电子产品,包括但不限于:

  • 开关电源
  • 直流-直流转换器
  • 电机驱动和控制
  • 逻辑电平转换应用
  • 便携式设备中的功率管理
  • 电子开关和继电器替代

四、总结

凭借其出色的电气特性、高度的集成度和宽广的应用范围,SI1034CX-T1-GE3 是一款非常值得考虑的 MOSFET 解决方案。无论是在低电压逻辑电路,还是在高要求的功率管理应用中,该产品都能提供稳定和高效的性能。VISHAY 的技术积累和市场认可使得 SI1034CX-T1-GE3 成为研发与设计师在选择电力组件时的可靠选择。