型号:

IRLR8743TRPBF

品牌:Infineon(英飞凌)
封装:TO-252-3(DPAK)
批次:-
包装:编带
重量:0.53g
其他:
IRLR8743TRPBF 产品实物图片
IRLR8743TRPBF 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 135W 30V 160A 1个N沟道 TO-252-2(DPAK)
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商品单价
梯度内地(含税)
1+
4.81
100+
4.01
1000+
3.65
2000+
3.5
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)160A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)3.1mΩ@10V,25A
功率(Pd)135W
阈值电压(Vgs(th)@Id)2.35V@100uA
栅极电荷(Qg@Vgs)59nC@4.5V
输入电容(Ciss@Vds)4.88nF@15V
工作温度-55℃~+175℃@(Tj)

IRLR8743TRPBF 产品概述

产品类型与基本描述

IRLR8743TRPBF 是一款高性能的 N 通道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),广泛应用于各种功率电子设备中。该器件由英飞凌(Infineon Technologies)制造,采用 D-Pak(TO-252-3)封装,具有优越的导电性能及散热能力,适用于高电流和高电压的工作场景。

技术参数与性能

在额定值方面,IRLR8743TRPBF 的漏源电压(Vdss)为 30V,在 25°C 下的连续漏极电流(Id)可达到 160A。这使得该器件能够高效地处理较大功率的应用。其驱动电压范围为 4.5V 至 10V,这样的设计允许该 MOSFET 在低栅电压的环境下仍能保持优质表现。

在电气特性方面,IRLR8743TRPBF 展示了出色的导通电阻(Rds(on)),在 Vgs 为 10V 时,Id 为 25A 下,最大值为 3.1 毫欧。这种低导通电阻意味着器件在正常工作时产生的热量较少,有助于提升系统总体效率并减少冷却需求。

IRLR8743TRPBF 的栅极阈值电压(Vgs(th))的最大值为 2.35V @ 100µA,意味着它在较低的栅电压下就可以导通。这一特性使得投资于驱动电路的成本可以显著降低。同时,增强型的栅极电荷(Qg)达到 59nC @ 4.5V,进一步支持快速开关操作,降低开关损耗。

散热与环境适应性

在功率耗散方面,该 MOSFET 最高可承受 135W 的功率,这使其能够在高功率转换应用中表现出色。IRLR8743TRPBF 的工作温度范围宽广,从 -55°C 到 175°C,这意味着其可以在严酷的环境下稳定工作,非常适合应用于汽车电子、电源转换器及其他工业设备。

封装与安装

IRLR8743TRPBF 采用 D-Pak 封装,具备良好的热管理能力,便于表面贴装操作(SMD),适用于紧凑型设计和高密度电路板。封装设计的优势在于其能够增强器件的散热能力,确保在高负载条件下长期稳定工作。

应用场景

由于其出色的电气性能与散热能力,IRLR8743TRPBF 被广泛应用于多个领域,包括但不限于:

  1. 电源管理:在 DC-DC 转换器、AC-DC 转换器和链路转换器中担当关键的开关器件。
  2. 汽车电子:电动车的电机驱动控制系统、功率分配和电源管理中。
  3. 工业控制:用于伺服驱动、变频器和其他电机控制应用。
  4. 消费电子:适用于便携设备、电池管理系统及其他低功耗应用。

总结

IRLR8743TRPBF 是一款设计精良且性能出色的 N 通道 MOSFET,凭借其高功率处理能力、低导通电阻和宽工作温度范围,适用于各种高效能和高电流应用。从电源管理到汽车电子,这款 MOSFET 能够满足现代电子设备日益增长的性能要求。无论是对系统效率的需求还是对环境适应性的挑战,IRLR8743TRPBF 都天生具备应对的能力,是设计师在选择高性能开关元件时的优质选择。