型号:

EMX2T2R

品牌:ROHM(罗姆)
封装:EMT6
批次:2年内
包装:编带
重量:-
其他:
EMX2T2R 产品实物图片
EMX2T2R 一小时发货
描述:三极管(BJT) 150mW 50V 150mA NPN SOT-563
库存数量
库存:
29820
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:8000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.351
500+
0.234
4000+
0.203
8000+
0.185
产品参数
属性参数值
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)150mA
集射极击穿电压(Vceo)50V
功率(Pd)150mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)120@1mA,6V
特征频率(fT)180MHz
集电极截止电流(Icbo)100nA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)400mV@50mA,5mA
工作温度-40℃~+150℃

产品概述:EMX2T2R (ROHM Semiconductor)

一、产品背景

EMX2T2R 是 ROHM Semiconductor 公司推出的一款双 NPN 晶体管(BJT),专为多种电子应用设计。凭借其卓越的电气性能和高可靠性,该器件在行业内的应用前景广泛,包括但不限于开关电路、放大器和信号处理等领域。此外,EMX2T2R 的小型封装设计使其适合于空间受限的应用场合,如消费电子、便携设备及工业控制。

二、主要技术参数

  1. 制造商: ROHM Semiconductor
  2. 器件类型: 三极管 (BJT)
  3. 封装: SOT-563 (EMT6)
  4. 电流 - 集电极 (Ic): 最大150mA
  5. 电压 - 集射极击穿 (Vce): 最大50V
  6. 饱和压降 (Vce(sat)):
    • 400mV @ 5mA
    • 400mV @ 50mA
  7. 电流 - 集电极截止 (ICBO): 最大100nA
  8. DC电流增益 (hFE): 最小120 @ 1mA,6V
  9. 最大功率 (Pmax): 150mW
  10. 频率 - 跃迁 (fT): 180MHz
  11. 工作温度 (TJ): 可达150°C
  12. 安装类型: 表面贴装 (SMD)

三、性能特点

EMX2T2R 的设计旨在满足高频、高功率和高效能电路的需求。以下是其一些核心性能特点:

  1. 高工作频率: 产品达到180MHz的跃迁频率,适合用于高速信号处理和射频应用。

  2. 低饱和压降: 在接近满载情况下维持仅400mV的饱和压降(Vce),降低功率损耗,增加电路的效率。

  3. 高电流增益: 最小hFE为120,确保在小信号输入情况下依然可以获得较高的输出,提高了电路的增益性能。

  4. 低集电极截止电流: 仅为100nA,帮助设计更灵敏、低噪声的放大电路。

  5. 宽工作温度范围: 高达150°C的工作温度,使其在极端环境下依然保持稳定,适合要求苛刻的工业应用。

四、应用场景

EMX2T2R 的特性使其非常适合多种电子应用,关键应用领域包括:

  1. 开关电路: 由于其高耐压和较大的集电极电流能力,EMX2T2R 可以用于驱动和控制负载的开关电路,尤其是在电源管理和LED驱动中表现优异。

  2. 放大器: 在音频和射频应用中,EMX2T2R 可以用作信号放大器,确保信号放大时信号完整性和散热性能。

  3. 信号处理: 它的高工作频率特别适合处理高速信号,广泛应用于数字电路和通信设备。

  4. 消费电子: 在智能手机、便携式音响、家电等日益小型化的产品中,EMX2T2R 的小型封装设计使其成为理想选择。

  5. 工业控制系统: 其宽工作温度和高稳定性使其非常适合用于各种工业自动化设备中。

五、总结

EMX2T2R 是 ROHM Semiconductor 提供的一款高性能双 NPN 晶体管,结合优良的电气特性和稳定的工作环境适应性,能够满足现代电子设备对高效能、高可靠性器件的需求。无论是在高频开关、信号放大还是低功耗电路中,EMX2T2R 都表现出色,预示着其在未来电子应用中广泛的应用潜力与市场价值。通过合理的选型与应用,EMX2T2R 将为设计工程师提供优质的解决方案,实现创新和高效能的电子设计目标。