型号:

VESD05A1A-HD1-GS08

品牌:VISHAY(威世)
封装:LLP1006-2L
批次:22+
包装:编带
重量:-
其他:
VESD05A1A-HD1-GS08 产品实物图片
VESD05A1A-HD1-GS08 一小时发货
描述:ESD Suppressor Diode TVS Bi-Dir 5V 12Vc 2-Pin LLP T/R
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商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.429
500+
0.286
4000+
0.249
8000+
0.226
产品参数
属性参数值
反向截止电压(Vrwm)5V
最大钳位电压12V
峰值脉冲电流(Ipp)16A@8/20us
峰值脉冲功率(Ppp)192W
击穿电压6V
类型TVS

VESD05A1A-HD1-GS08 产品概述

产品简介

VESD05A1A-HD1-GS08 是由威世半导体(Vishay)公司研发的一款齐纳二极管,主要用于静电放电(ESD)保护和过压保护。这款二极管采用表面贴装型(SMD)封装,封装类型为 LLP1006-2L,具有良好的热管理能力和高度的集成度,适合在空间受限的应用中使用。其设计旨在为敏感电子元件提供有效的过压保护,从而延长设备的使用寿命。

主要参数

  • 类型:齐纳二极管,具有单向通道设计。
  • 反向断态电压(Vr):典型值为 5V,最大值可达 5V。
  • 击穿电压(Vbr):该器件的最小击穿电压为 6V,确保在电压超出额定值时能够迅速启动保护。
  • 箝位电压(Vclamp):在不同的脉冲电流情况下,其箝位电压最大可达 12V,这为过电压条件下的设备提供强有力的保护。
  • 峰值脉冲电流(Ipp):设备能够承受的峰值脉冲电流为 16A(在 8/20µs 的脉冲形状下),显示出在瞬态电流条件下的高耐受性。
  • 峰值脉冲功率:在瞬态条件下,最大功率可以达到 192W,这表明该器件非常适合用于高功率应用中。
  • 电容值:在 1 MHz 频率下,电容为 130pF,适合高速信号传输的应用。
  • 工作温度:该二极管的工作温度范围为 -40°C 至 125°C,适用于广泛的环境条件。

应用领域

由于其卓越的电气特性,VESD05A1A-HD1-GS08 广泛应用于各种电子设备的 ESD 保护和过压保护中。这些应用包括但不限于:

  • 消费电子产品,如手机、平板电脑和其他移动设备,能够有效防止因接触静电而造成的损坏。
  • 通信设备,保护高频信号线路免受瞬时电压尖峰影响。
  • 工业设备,确保设备在恶劣环境和电气噪声中长期稳定运行。
  • 医疗设备,为敏感医疗设备提供安全防护。

封装及安装

VESD05A1A-HD1-GS08 采用 LLP1006-2L 的封装形式,专为表面贴装技术(SMT)设计。这种封装类型具有小型化、高集成度和优良的热特性,便于在高密度电路板上实现高效安装,适合现代电子产品对空间的限制。同时,该产品的可靠性和耐久性使其在行业标准中具有竞争力。

结论

综上所述,VESD05A1A-HD1-GS08 是一款集成了出色电气性能和可靠性的 ESD 抑制二极管。它的设计理念结合了现代电子产品对安全性、稳定性和小型化的要求,致力于为各种电子设备提供高效的保护解决方案。无论在消费电子、通信、工业还是医疗领域,这款产品都能以其卓越的性能满足各种应用需求,成为开发者和工程师在设计时的重要选择。