型号:

BC858W,115

品牌:Nexperia(安世)
封装:SOT-323
批次:22+
包装:编带
重量:-
其他:
BC858W,115 产品实物图片
BC858W,115 一小时发货
描述:三极管(BJT) 200mW 30V 100mA PNP SOT-323
库存数量
库存:
2173
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.412
200+
0.138
1500+
0.086
3000+
0.0683
产品参数
属性参数值
晶体管类型PNP
集电极电流(Ic)100mA
集射极击穿电压(Vceo)30V
功率(Pd)200mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)125@2mA,5V
特征频率(fT)100MHz
集电极截止电流(Icbo)1nA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)75mV@10mA,0.5mA
工作温度-65℃~+150℃

产品概述:BC858W,115 PNP 晶体管

概述:
BC858W,115是一款高性能的PNP型双极结晶体管(BJT),专为中小功率的电子应用设计。它结合了优秀的电流传输能力和工作频率,具有高度的可靠性和稳定性,适用于广泛的消费者和工业电子产品。凭借其紧凑的SOT-323封装,此晶体管特别适合于空间受限的应用环境。

电气特性:
BC858W,115具有一系列关键的电气参数,使其在各种应用中表现出色:

  • 集电极电流 (Ic) 最大发电值达到100mA,这为其在音频放大、电源开关和信号调节电路中的使用提供了良好的基础。
  • 集射极击穿电压 (Vce) 的最大值为30V,使其适用于多种电压环境,避免了因过电压引起的损坏。
  • 饱和值电压降 (Vce(sat)) 在不同的集电极电流 (Ic) 下表现出色,600mV @ 5mA,100mA 的值确保了在开关应用中低功耗的同时保持了出色的导通性能。

电流增益:
BC858W,115还具备优秀的直流电流增益 (hFE),在低基极电流 (Ib) 下达到最小值125,确保了在小信号放大器和输出驱动器的应用中,能够实现较强的增益特性。这种特性使得该晶体管能够有效地提升信号的强度,特别适合于低功率音频放大和传感器接口电路。

频率响应:
其频率跃迁特性达到100MHz,允许在较高频率的信号应用中使用。该晶体管能够在需要高速开关和高频放大的电路中稳定工作,这为现代高速数字电路和射频(RF)应用提供了支持。

功耗与热特性:
BC858W,115的最大功率能力为200mW,这使得它能在较大的电流和电压范围内安全运行。工作温度范围可达150°C (TJ),使得该器件在高温环境中仍能保持良好的性能,适用于汽车电子、工业控制等要求严苛的场合。

封装与安装:
该晶体管采用了表面贴装型的SOT-323封装,具有体积小、重量轻等优点,非常适合现代电子产品的设计需求,特别是在便携式设备和紧凑型电路板设计中。简便的焊接工艺也确保了快速的生产效率与自动化程度。

应用领域:
BC858W,115 PNP晶体管可广泛应用于各种电子电路,例如:

  • 开关电源
  • 音频放大器
  • 开关调节器
  • 电机驱动电路
  • 各类传感器接口
  • 信号转换电路

总结:
BC858W,115以其出色的性能、可靠的电气特性和小巧的封装设计,是一款理想的PNP晶体管,适合各种电子应用。无论是在消费者产品,工业控制,还是在更复杂的电子系统中,它都能够提供卓越的表现,为设计工程师提供了更多的设计灵活性。在追求高效率、小尺寸和可靠性的现代电子产品中,BC858W,115都是不可或缺的选择。