型号:

IRFR9024PBF

品牌:VISHAY(威世)
封装:TO-252-3
批次:22+
包装:管装
重量:-
其他:
IRFR9024PBF 产品实物图片
IRFR9024PBF 一小时发货
描述:Single P-Channel 60 V 0.28 Ohms Surface Mount Power Mosfet - TO-252
库存数量
库存:
66
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
3.85
100+
3.21
750+
2.97
1500+
2.83
3000+
2.71
产品参数
属性参数值
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)5.6A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)280mΩ@10V,5.3A
功率(Pd)2.5W
阈值电压(Vgs(th)@Id)2V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)19nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)570pF
反向传输电容(Crss@Vds)65pF@25V
工作温度-55℃~+150℃

IRFR9024PBF 产品概述

一、基本信息

IRFR9024PBF 是一款由 Vishay Siliconix 制造的单通道 P 型 MOSFET,具有高效率和高性能的特点,专为各种高功率、高速开关应用而设计。这款 MOSFET 采用 TO-252-3 封装形式,适合表面贴装(SMT)应用,适合在空间受限的电路中使用。其基本特性使其成为电源管理、电机控制、HVAC 系统、LED 驱动以及其他需要高效电流开关的电路设计中的理想选择。

二、关键参数

  1. 型号与类型

    • 型号:IRFR9024PBF
    • 类型:P 通道 MOSFET
  2. 电气特性

    • 额定漏极电流(Id):在 Tc 为 25°C 时,连续漏极电流可达 8.8A,满足高负载的需求。
    • 最大漏源电压(Vdss):60V,适用于需要中等电压工作的应用。
    • 导通电阻(Rds(on)):在 10V 驱动电压下,最大 Rds(on) 为 0.28 Ω(在 5.3A 流量时),这使得功耗保持在最低水平,并降低热损失。
    • 栅极电压(Vgs):最大绝对值为 ±20V,对电路保护提供更高的安全裕度。
  3. 开关特性

    • 输入电容(Ciss):最大值为 570pF @ 25V,为快速开关操作提供辅助。
    • 栅极电荷(Qg):最大值为 19nC @ 10V,确保更快速的开关速度,适用于高频应用。
  4. 耐温性能

    • 工作温度范围:-55°C 到 150°C,适应于各种环境条件,包括高温和严苛的操作环境。
  5. 功耗与散热

    • 最大功耗(Ta):在环境温度下功耗可高达 2.5W,而在结温 Tc 下可达 42W,足以应对大多数电源设计中的热管理需求。

三、应用领域

IRFR9024PBF 在现代电子设计中具有广泛的应用。其优异的性能使其在以下领域尤其受欢迎:

  • 电源管理:适用于开关电源(SMPS) 和直流至直流转换器(DC-DC converter),提供高效的电能转化。
  • 电机控制:在电动机驱动电路中,IRFR9024PBF 的高开关速度和低导通损耗可以显著提高电机效率及响应速度。
  • LED 驱动:适合用作高功率 LED 照明应用的开关元件,通过其卓越的电流承载能力和热管理特性改善LED驱动效率和亮度。
  • HVAC 系统:在制暖和制冷系统中,作为控制继电器或智能控制单元的关键开关元件,以提高整体系统的能效。

四、设计建议

在设计电路时,应考虑以下几点:

  • 热管理:虽然 IRFR9024PBF 可以在较高的功率下操作,但为保证长期稳定运行,需要有效的散热设计,例如使用适当的散热片。
  • 驱动电平:确保栅极驱动电平在正确范围内,以实现最佳的导通性能以及降低开关损耗。
  • PCB 布局:为了减少寄生电感,并提高开关速度,应尽量缩短 MOSFET 的连接走线,并使用宽阔的走线设计降低电阻。

五、结论

作为一款高效、稳定且能够承受恶劣工作条件的 P 型 MOSFET,IRFR9024PBF 提供了必要的电气特性和可靠性,适合用于各种电子应用。无论是高效的电源管理还是复杂的电机控制,它都能够满足设计师的需求并卓越地完成任务。选择 IRFR9024PBF,帮助您在设计中实现更高的电能效率和更长的产品寿命。