型号:

SI3421DV-T1-GE3

品牌:VISHAY(威世)
封装:6-TSOP
批次:24+
包装:编带
重量:0.07g
其他:
SI3421DV-T1-GE3 产品实物图片
SI3421DV-T1-GE3 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 4.2W 30V 8A 1个P沟道 TSOP-6-1.5mm
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产品参数
属性参数值
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)8.3A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)19.2mΩ@10V,7A
功率(Pd)2W
阈值电压(Vgs(th)@Id)1V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)21nC
输入电容(Ciss@Vds)2.58nF@15V
反向传输电容(Crss@Vds)225pF@15V
工作温度-55℃~+150℃

SI3421DV-T1-GE3 产品概述

1. 产品简介

SI3421DV-T1-GE3是一款高性能的P沟道MOSFET,具备优秀的电气参数和热性能,适用于各种电源管理和开关应用。该器件由业界知名的电子元器件制造商VISHAY(威世)提供,具有卓越的可靠性和稳定性,非常适合工业、消费电子和汽车等多种应用场景。

2. 基本规格

  • FET类型: P通道
  • 技术: MOSFET(金属氧化物场效应管)
  • 漏源电压(Vdss): 30V,适合中等电压电源应用
  • 电流: 25°C下连续漏极电流(Id)达到8A,支持高负载能力
  • 驱动电压: 最大Rds On为4.5V(推荐工作范围在10V内),确保良好的导通特性

3. 导通特性和电阻

该MOSFET的导通电阻在不同电流和栅极电压下呈现出优异的性能:

  • 最大导通电阻(Rds On): 在7A和10V时,Rds On最大为19.2毫欧,这样的低导通电阻有助于降低传输损耗,提高系统效率。
  • Vgs(th): 在250µA时,最大门阈电压(Vgs(th))为3V,提供了广泛的工作范围和灵活性。

4. 驱动和输入特性

  • 栅极电荷 (Qg): 在10V的栅源电压下,栅极电荷达到最大值为69nC,能快速响应栅极驱动,提升开关效率。
  • 输入电容 (Ciss): 最大输入电容为2580pF,适合以较高频率进行开关操作。

5. 功率耗散和温度范围

  • 功率耗散: 在环境温度(Ta)下能够承受最大功率为2W,而在结温(Tc)条件下可以达到4.2W,适合于高效能的应用需求。
  • 工作温度范围: 该器件具有广泛的工作温度范围,从-55°C到150°C,适合于高温或极端冷却的环境中使用。

6. 封装与安装

  • 封装: SI3421DV-T1-GE3采用6-TSOP封装(SOT-23-6),其细型设计适合于表面贴装(SMD)技术,有助于节省空间,提高组件密度。
  • 安装类型: 表面贴装型设计使得该器件可以轻松集成到各类现代电路板中。

7. 应用领域

SI3421DV-T1-GE3的设计使其在多种应用中表现优异,包括但不限于:

  • 电源管理模块: 高效的DC-DC转换器和电源轨控制,以提高系统的整体效率。
  • 汽车电子: 在汽车电气系统中如电动窗、车灯控制等,提供可靠的开关控制。
  • 工业控制: 自动化设备和电机驱动电路中的开关应用,确保高效和可靠的操作。

8. 结论

SI3421DV-T1-GE3是一款功能强大、性能可靠的P沟道MOSFET,凭借其低导通电阻、高连续电流及宽广的工作温度范围,使其适合用于多种要求严苛的电子应用中。VISHAY(威世)的这一产品将为设计工程师提供灵活性、效率和可靠性的高效解决方案,是推动现代电子技术发展的重要助力。