SPD15P10PLGBTMA1

SPD15P10PLGBTMA1 产品概述

产品名称：SPD15P10PLGBTMA1

类型：P沟道 MOSFET

封装：TO-252-3 (DPAK)

品牌：Infineon (英飞凌)

1. 基本参数

SPD15P10PLGBTMA1 是一款高性能的 P 通道金属氧化物场效应管（MOSFET），适用于各种电子电路中的开关和线性应用。它具有高功率承载能力和出色的效率，使其成为许多应用场合的重要选择。

2. 主要特性

• 漏源电压 (Vdss)：该元件支持高达 100V 的漏源电压，能够有效处理高电压环境下的电流控制。
• 连续漏极电流 (Id)：在 25°C 的环境下，其最大连贯漏极电流为 15A（在结温 Tc 条件下），能够满足多种高电流负载的需求。
• 电阻特性：最大导通电阻 Rds(on) 为 200 毫欧（在 11.3A 和 10V Vgs 下），确保在导通时的能量损耗最小。
• 驱动电压：支持的门极驱动电压范围为 4.5V 到 10V，这使得它在不同电压水平下仍能正常工作，为电路设计提供更大的灵活性。

3. 开关性能

• 开关阈值电压 (Vgs(th))：最大值为 2V @ 1.54mA，表明该 MOSFET 对于控制信号的响应能力良好，使其在低电压开关环境下表现出色。
• 栅极电荷 (Qg)：最大门极电荷为 62nC @ 10V，这对于减少驱动电路的功耗及提高开关速度至关重要。

4. 电容特性

• 输入电容 (Ciss)：在 25V 的电压下，输入电容 (Ciss) 最大为 1490pF，反映出该器件在高频应用中良好的输入响应特性，并亦适用于需要快速切换的电路架构。

5. 散热与功率特性

• 功率耗散：该器件的最大功率耗散为 128W（在 Tc 条件下），意即即使在高负载下，也能保证其长时间可靠运行。配合高效的散热设计，更能提升系统的整体性能和稳定性。

6. 工作温度范围

• 工作温度：产品的工作温度范围广泛，从 -55°C 到 175°C（TJ）。这使得 SPD15P10PLGBTMA1 特别适用于严苛的工业环境及高温应用，包括但不限于汽车电子、航空航天等领域。

7. 应用场合

SPD15P10PLGBTMA1 被广泛应用于多种电子解决方案，如电源管理、马达驱动、照明控制和其他各种需要高电流开关功能的应用。其高可靠性和性能，适合用于高效能的电源转换及控制电路，特别是在需要降低能量损耗的应用中。

8. 封装特性

该 MOSFET 的 TO-252-3 封装设计（也称为 DPAK）具有优良的散热特性，适合表面贴装，方便制造和安装。同时，虽然该封装的外形尺寸相对较大，但能够承受较高的功率密度，有助于提升产品的电流和散热能力。

结论

Infineon SPD15P10PLGBTMA1 是一款集成了高功率、高效率与高可靠性于一体的 P 通道 MOSFET，适用于多种工业电子应用。其卓越的电气特性、广泛的工作温度范围及高功率承载能力，使它成为现代电源管理系统和驱动控制电路中的理想解决方案。