型号:

IRFP350PBF

品牌:VISHAY(威世)
封装:TO-247-3
批次:24+
包装:管装
重量:8.2g
其他:
IRFP350PBF 产品实物图片
IRFP350PBF 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 190W 400V 16A 1个N沟道 TO-247AC-3
库存数量
库存:
949
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:500
商品单价
梯度内地(含税)
1+
9.61
10+
8.01
500+
7.7
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)400V
连续漏极电流(Id)10A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)300mΩ@10V,9.6A
功率(Pd)190W
阈值电压(Vgs(th)@Id)2V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)150nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)2.6nF
反向传输电容(Crss@Vds)250pF@25V
工作温度-55℃~+150℃

IRFP350PBF 产品概述

一、产品简介

IRFP350PBF 是一款高性能 N 通道 MOSFET,适用于各种工业应用、开关电源和其他高电压高电流环境。这款MOSFET采用TO-247-3封装,具备卓越的热管理性能,能够在高温和高压条件下稳定工作。由VISHAY(威世)公司生产,该器件以其高效能和可靠性著称,是现代电子电路设计中不可或缺的元器件之一。

二、主要特性

  1. 电气规格:

    • 漏源电压(Vdss):IRFP350PBF 能够承受高达400V的漏源电压,这使其成为高电压开关电源和逆变器等应用的理想选择。
    • 连续漏极电流(Id):其在25°C时的最大可持续电流为16A,适合负载较高的应用需求。
    • 导通电阻(Rds On):在10V栅极驱动下,最大导通电阻为300毫欧(@9.6A),这保证了在工作时的能量损耗最低,提升了整体效率。
  2. 驱动和控制:

    • 门极阈值电压(Vgs(th)):最大阈值电压为4V @250µA,为设计者提供了灵活的控制选项,确保MOSFET能够在低压条件下精确启用。
    • 栅极电荷(Qg):最大栅极电荷为150nC(@10V),这意味着其在开关操作过程中需要较低的栅极驱动能量,适合高频开关应用。
  3. 温度和功率特性:

    • 工作温度范围:IRFP350PBF 的工作温度范围在-55°C至150°C之间,高温稳定性使其可以在极端环境下安全工作。
    • 功率耗散:该器件的最大功率耗散为190W,这使其在多种应用中能够承载高负载,而不失去稳定性。
  4. 封装与安装:

    • 封装类型:采用TO-247-3封装形式,适合通孔安装,增强了散热性能,便于与散热器结合使用,对于高功率密度设计十分重要。

三、应用领域

IRFP350PBF MOSFET广泛应用于以下领域:

  • 开关电源(SMPS):可用于DC-DC转换器和AC-DC适配器,以提高能源效率。
  • 电动机驱动:适合在各种工业设备或电机控制器中的开关处理,能够有效驱动电机。
  • 逆变器:在太阳能和风能逆变器中,用作效率优化的开关元件。
  • 高能量放大器:在音频放大器电路中提供所需的高电压和电流驱动能力。

四、总结

IRFP350PBF 是一款集高电压、高电流与优越热管理于一体的N沟道MOSFET,凭借其可靠的性能和卓越的电气特性,广泛适用于开关电源、逆变器及电机驱动等诸多领域。其高温工作稳定性和低导通电阻使其成为各类电源管理应用的理想选择,能够满足现代电子设备对高性能元器件的需求。通过使用IRFP350PBF,工程师能够设计出效率更高,功能更强大的电子电路,大幅提升产品的整体质量和市场竞争力。