型号:

IRLMS1503TRPBF

品牌:Infineon(英飞凌)
封装:TSOP-6
批次:22+
包装:编带
重量:-
其他:
IRLMS1503TRPBF 产品实物图片
IRLMS1503TRPBF 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 1.7W 30V 3.2A 1个N沟道 SOT-23-6
库存数量
库存:
1202
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
1.42
100+
1.14
750+
1.02
1500+
0.961
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)3.2A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)100mΩ@10V,2.2A
功率(Pd)1.7W
阈值电压(Vgs(th)@Id)1V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)9.6nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)210pF
反向传输电容(Crss@Vds)32pF
工作温度-55℃~+150℃

IRLMS1503TRPBF 产品概述

产品简介

IRLMS1503TRPBF 是一款高性能的 N 通道 MOSFET,专为各种电子应用中的高效开关和放大功能而设计。这款 MOSFET 具有优异的导通性能、低导通电阻和较大电流处理能力,能够在严格的环境条件下作出可靠的响应,从而满足现代电子设备的需求。

主要规格

  • 漏源电压(Vdss): 最大 30V,这使得它能承受一系列低压至中压的应用场景,而不会受到电压击穿的危害。
  • 连续漏极电流(Id): 在 25°C 时可达 3.2A,展示出强大的电流处理能力,适合于高功率电源管理、马达驱动和其它高电流应用。
  • 驱动电压: 最大 Rds On 的驱动电压为 4.5V 和 10V,使其在不同的电源条件下均能实现优良的开关效率。
  • 导通电阻(Rds On): 在 2.2A 时,10V 的条件下,最大导通电阻仅为 100 毫欧,显示出极低的能量损耗,能够有效提高整体系统的能量效率。
  • 栅极阈值电压(Vgs(th)): 在 1V @ 250µA 的条件下,确保 MOSFET 能够在较低的栅极驱动电压下快速切换,提高了设计的灵活性与稳定性。
  • 栅极电荷(Qg): 最大值为 9.6nC @ 10V,较低的栅极电荷有助于实现快速开关响应,降低驱动能耗。
  • 输入电容(Ciss): 最大值为 210pF @ 25V,为高频操作提供了良好的支持,适用在射频和高速开关应用中。

工作环境

IRLMS1503TRPBF 的工作温度范围为 -55°C 至 150°C,使其适应严酷的工作环境。在极端温度下,它依旧能够保持其性能稳定,适合在汽车、工业控制以及航空航天等需求严苛的应用领域中使用。

封装与安装

该 MOSFET 使用 SOT-23-6 封装(Micro6™),其小型表面贴装形式,方便在空间受限的电路板上进行布局和安装。该封装不仅提高了元器件的散热能力,还有助于实现更高的电路密度和更小的产品尺寸。

应用领域

由于其优异的性能与可靠性,IRLMS1503TRPBF 可广泛应用于多个领域,包括但不限于:

  • 电源管理: 在DC-DC转换器和电源开关中,用于实现高效的电源转换和节能。
  • 马达驱动: 适用于直流电机和步进电机驱动系统,提供快速的响应时间和稳定的电流控制。
  • 汽车电子: 在电池管理系统、电机控制和车身电子控制单元中投入使用,确保可靠性和安全性。
  • 工业自动化: 用于传感器接口、开关控制及自动化设备的驱动,提升设备的智能化和自动化水平。

品牌与可靠性

作为知名半导体制造商,Infineon(英飞凌)在 MOSFET 领域享有良好声誉,产品经过严格的测试和验证,确保能够满足各类工业标准和可靠性要求。IRLMS1503TRPBF 借助先进的制造工艺,确保了其在高频和高功率应用中的卓越表现。

结论

IRLMS1503TRPBF 是适合各种需求的高性能 N 通道 MOSFET,其优越的电气特性和可靠性使其成为现代电子设计的理想选择。无论是在电源管理、马达驱动还是汽车电子等领域,它均能发挥出最佳的性能,满足苛刻的应用需求。使用 IRLMS1503TRPBF,工程师们能够设计出更高效、更可靠的电子系统,推动技术的进步与应用的发展。