描述：绝缘栅场效应管（MOSFET）
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0.376
1500+
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产品参数
属性参数值
FET 类型P 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)330mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）2 欧姆 @ 330mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）2V @ 80µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）3.57nC @ 10V
Vgs（最大值）±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）78pF @ 25V
功率耗散（最大值）360mW（Ta）
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型表面贴装型
供应商器件封装SOT-23-3
封装/外壳TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
产品概述：BSS83PH6327XTSA1 - P通道绝缘栅场效应管（MOSFET）
一、概述
BSS83PH6327XTSA1 是一款由英飞凌（Infineon）公司生产的P通道绝缘栅场效应管（MOSFET），采用了SOT-23-3封装。这款MOSFET的设计理念是为低功耗电子设备提供高效的开关控制，适用于各种应用场景，如电源管理、驱动电路、信号开关等。
二、技术参数
FET类型与技术
- 类型：P通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）
电气特性
- 漏源电压（Vdss）：最大60V，这意味着该器件能够在较高电压下安全工作，适应了电源转换器和驱动模块的需要。
- 持续漏极电流（Id）：最大330mA（在25°C条件下），这使得BSS83PH6327XTSA1能够适用于小型电子设备中的低电流应用，同时保证可靠的性能。
- 导通电阻（Rds On）：最大值为2Ω（在330mA和10V下），为低功耗特性提供了基础，减少了在工作过程中的能量损耗。
- 栅极阈值电压（Vgs(th)）：最大值为2V（在80μA下），这表明该MOSFET在较低的栅极电压下便可导通，有助于数字电路中的快速开关操作。
- 栅极电荷（Qg）：最大值为3.57nC（在10V下），较低的栅极电荷使得开关速度更快，适应高频操作场景。
- 栅源电压（Vgs）：最大值为±20V，确保了其在电气干扰条件下的安全性。
- 输入电容（Ciss）：最大值为78pF（在25V时），较低的输入电容便于快速响应和高频性能的优化。
- 功率耗散（Pd）：最大360mW，适合低功耗设计。
- 工作温度范围：-55°C至150°C（结温），使其适应于严苛环境的应用，尤其是在汽车、航空航天及工业设备中。
封装与安装
- 器件封装采用SOT-23-3，便于表面贴装（SMD）技术的应用，适合高密度的电路板设计。这种封装小巧轻便，在满足性能要求的同时，减少了空间占用。
三、应用场景
BSS83PH6327XTSA1的设计与特性使其广泛适用于以下领域：
电源管理
- 在开关电源、线性稳压器等电源电路中作为开关器件，能够提高电源的效率与稳定性。
电子开关
- 适合用作各类电子设备的开关控制，从简单的通断控制到复杂的信号切换应用，BSS83PH6327XTSA1都能提供高效且可靠的性能。
信号调理
- 在音频、射频及传感器应用中，可以用于信号路径的隔离和重整，改善信号的质量和传输效率。
自动化与控制
- 在工业自动化设备和仪器仪表中，BSS83PH6327XTSA1能够有效地响应控制信号，实现对启动、停止、调节等功能的控制。
四、总结
BSS83PH6327XTSA1是一款高效能的P通道MOSFET，减小了功耗并提高了设计灵活性，适用于多种低电流应用。其优良的技术指标、适应性广的工作环境，使其成为现代电子设备中不可或缺的重要元器件。通过采用先进的制造工艺以及高质量的材料，英飞凌确保了该产品的可靠性与持久性，进一步满足了设计者对于高性能电子元器件的需求。