型号:

BC859C,215

品牌:Nexperia(安世)
封装:SOT-23-3
批次:25+
包装:编带
重量:1g
其他:
BC859C,215 产品实物图片
BC859C,215 一小时发货
描述:三极管(BJT) 250mW 30V 100mA PNP SOT-23
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最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.0826
3000+
0.0655
产品参数
属性参数值
晶体管类型PNP
集电极电流(Ic)100mA
集射极击穿电压(Vceo)30V
功率(Pd)250mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)420@100mA,5V
特征频率(fT)100MHz
集电极截止电流(Icbo)4uA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)300mV@100mA,5mA
工作温度-65℃~+150℃

产品概述:BC859C,215

产品名称:BC859C,215
类型:PNP三极管
封装类型:SOT-23-3
品牌:Nexperia(安世)

一、基本参数

BC859C是一款高性能的表面贴装型PNP晶体管,广泛应用于各种电子电路中,因其在小型化、低功耗等方面的优秀特性深受设计师的青睐。以下是其主要基础参数:

  • 安装类型:表面贴装型(SMD),适合自动化生产和高密度PCB设计。
  • 最大集电极电流 (Ic):100mA,适合驱动中等负载的应用。
  • 集电极截止电流 (ICBO):最大值为15nA,显示出其在低功耗状态下的极低漏电流特性。
  • 工作温度:可承受高达150°C的工作温度,使其在恶劣环境下依然能够稳定工作。
  • 频率 - 跃迁:最大频率可达到100MHz,适合高频应用需求。
  • 功率 - 最大值:250mW,适合大多数中小功率电子电路。
  • 集射极击穿电压 (Vce):最大30V,能够在一定范围内承受较高的电压。
  • 饱和压降 (Vce(sat)):在Ic为5mA和100mA时,Vce饱和压降最大为650mV,确保在导通状态下的能量损失较低。
  • 直流电流增益 (hFE):在Ic为2mA、Vce为5V时,hFE的最小值为420,确保了在应用中的良好放大能力。

二、应用场景

BC859C由于其优越的性能参数,广泛应用于以下场景:

  1. 信号放大:可用于音频放大器和射频放大器电路,通过增强微弱信号,提供更强的输出。

  2. 开关电路:在开关电源、控制电路中,BC859C可以高效地切换电流,控制负载的开关状态。

  3. 音频处理:在音频设备中作为音频信号的放大元件,能够提供清晰、高保真的音频输出。

  4. 传感器接口:适用于连接传感器的驱动电路,能够在低电流条件下工作,帮助降低功耗。

  5. 高频电路:由于其优良的频率响应特性,常被用于高频应用,如无线通信和处理器接口等。

三、设计优势

  1. 高电流增益:BC859C提供高达420的电流增益,能够在小信号下得到有效的放大作用,提高电路整体性能。

  2. 低功耗特性:极低的截流电流(15nA)和飽和电压(最大650mV)为电池供电的应用提供了极大的优势,减少了能量损失。

  3. 高温稳定性:工作温度高达150°C的特性使其在高温环境下依然能够正常工作,极大地增加了应用的灵活性。

  4. 紧凑封装:SOT-23-3的封装不仅节省了板级空间,同时还支持高密度布局,非常适合现代电子设备的小型化设计需求。

四、总结

BC859C,215是一款出色的PNP型三极管,具有优秀的频率响应、低功耗以及高稳定性,其广泛适用于各类电子电路中。无论是在工业、消费电子还是通信设备中,BC859C都能提供可靠的性能保证,满足多样化的设计需求。选择BC859C,将为您的项目带来高效与稳定的解决方案。